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初等/五等/佐級◆電子學大意
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101年 - 101 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28930
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試題詳解
試卷:
101年 - 101 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28930 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
101年 - 101 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#28930
年份:
101年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
5 某 FET 工作在飽和區(Saturation Region),其 i
D-
V
GS
關係如下圖所示,則此 FET 為:
(A)增強型 NMOS
(B)增強型 PMOS
(C)空乏型 NMOS
(D)空乏型 PMOS
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
pole~zero
B1 · 2015/11/19
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