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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#22123
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
104年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 下圖電路中理想運算放大器其開迴路差模電壓增益 A
od
= 10
4
，若輸出電壓 v
O
= -4 V，則輸入電壓 vI 約為多 少 V？
(A)-0.1 V (B)-0.2 V (C)-0.3 V (D)-0.4
2 下圖為一理想運算放大器電路，求其輸出電壓 V
O
=？
(A)1 V (B)2 V (C)3 V (D)4 V
3 下圖運算放大器電路圖中接於腳位 1 及腳位 5 間之可變電阻 VR 的主要功能為何？
(A)降低輸入偏移電流 (B)調整偏移電壓 (C)調整共模互斥比 (D)調整電壓增益
4 圖示為理想運算放大器之電路，R
1
=1 kΩ、R
2
=25 kΩ、R =10 kΩ，則其輸入阻抗 R
i
為若干 Ω？
(A)1 k (B)10 k (C)25 k (D)∞
5 在邏輯電路中，輸出高至低的傳輸延遲（propagation delay）時間的定義為何？ (A)由高準位電壓下降至 50%的高準位電壓所需的時間 (B)由高準位電壓下降至 70%的高準位電壓所需的時間 (C)由90%的高準位電壓下降至 10%的高準位電壓所需的時間 (D)由 80%的高準位電壓下降至 20%的高準位電壓所需的時間
6 下列何種記憶體 IC 不屬於非揮發性記憶體（Non Volatile Memory）？ (A)DRAM (B)Mask ROM (C)EP-ROM (D)Flash
7 P 通道空乏型 MOSFET，在閘極上施加正電壓時，其通道導通程度會： (A)無影響 (B)減小 (C)加大 (D)無法判斷
8 當一雙極接面電晶體（BJT）操作於主動模式，其轉導值（transconductance）gm與集極電流 IC的關係為：
9 圖中的 LCR 振盪器，當電容 C 值增加 2%時，其振盪頻率 ω
0
改變多少？
(A)0.5% (B)不變 (C)-0.5% (D)-1%
10 在 P 型半導體材料中，電流傳導的主要載子為： (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子
11 在一全波整流電路中，使用中心抽頭變壓器，其輸出電壓振幅為 V
S
，二極體正向壓降為 V
D
，請問二極體的 峰值反向電壓為何？ (A) V
S
– V
D
(B) V
S
– 2 V
D
(C)2 V
S
– V
D
(D)2 V
S
– 2 V
D
12 有關於光檢測用之光二極體，下列描述何者錯誤？ (A)光二極體工作於順向偏壓區 (B)不同材料之光二極體對光有不同之頻譜響應 (C)不同材料之光二極體產生光激載子的數量與入射光強度成正比 (D)光二極體之逆向電流和光強度成正比
13 圖示理想二極體電壓，變壓器次級圈交流電壓有效值為 10 V
rms
，試問在穩定狀態時 v
O
的電壓約為若干？
(A)10 V (B)14 V (C)20 V (D)28 V
14 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 V
D0
= 0.7 V，已知電壓 v
S
(t)=12 sin(120πt)V、C =47μF、V
DC
= 3 V、 R 為無窮大，在穩態時，電容 C 兩端的電壓約為多少？
(A)12 V (B)11.7 V (C)8.3 V (D)3.7 V
15 如圖電路中，D
1
與 D
2
均為理想二極體。當 V
I
= +5 V 時，V
o
的值為：
(A)2 V (B)5 V (C)7 V (D)10 V
【已刪除】16 下圖為理想二極體的截波電路，其輸入波形被截波後的輸出電壓為何？
(A)3 V (B)4 V (C)5 V (D)6 V (E)一律給分
17 齊納（Zener）二極體主要常應用於何種電路？ (A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓
18 如圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數 g
m
、r
e
、r
π
及輸出電 阻 r
o
均為已知，各外加電容均極大。則此放大器之輸出電阻 R
out
（不含 R
L
）為：
(A)R
C
+ r
o
(B)r
o
(C)R
C
|| r
o
(D)R
C
+ r
e
19 圖示放大器電路若電流源 I 為 1 mA、R
B
= 100 kΩ，R
C
= R
L
= 2 kΩ，R
e
= 100 Ω，電晶體電流放大率 β = 100， 則電壓增益約為若干？
(A)-100 (B)-10 (C)-8 (D)-4
20 圖中電晶體的 V
T
= 25 mV，β = 100，V
BE
= 0.7 V，其電流增益（i
o
/ i
i
）約為：
(A)8.3 (B)10.1 (C)83 (D)101
.
21 在雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 Cc進入基極，該電容 Cc之主 要功能為何？ (A)使電壓增益變大 (B)使電流增益變大 (C)隔離雜訊 (D)隔離直流
22 圖示電路中場效電晶體 FET 之 V
T
= -0.5 V、μ
p
C
ox
(W/L) = 2 mA/V
2
，欲此電晶體工作在飽和區（Saturation Region），電壓 v
G
應如何？
(A)0.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V (B)1.5 V ≤ vG ≤ 3.5 V (C)0.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V (D)1.5 V ≤ vG ≤ 2.5 V
23 如圖電路對於小訊號電壓增益，下列敘述何者錯誤？
(A)R
C
過大增益可能減低 (B)若電晶體操作於主動區，增加 R
E
則增益增加 (C)若電晶體操作於飽和區，增加 R
B
可使電晶體進入順向主動（forward active）區 (D)若電晶體操作於飽和區，增加 R
E
可使電晶體進入順向主動（forward active）區
.
24 分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 g
m
= 1 mA/V 且操作於飽和區，元件之輸出阻抗 r
o
=10 kΩ，R
b
=10 kΩ， R
D
=10 kΩ，R
S
=1 kΩ，試求 V
o
/V
i
約為多少？
(A)-10/3 (B)-5 (C)-20/3 (D)-25/3
25 有一 n 通道 MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源（CS）放大器，該 MOSFET 之臨界 電壓 V
t
= 0.5 V。當 V
GS
=1.5 V 時，其 I
D
= 1 mA，則當 V
GS
增為 2.5 V 時，其 I
D
為： (A)仍為 1 mA (B)增為 2 mA (C)增為 3 mA (D)增為 4 mA
26 關於理想轉導放大器（Transconductance Amplifier）特性之敘述，下列何者正確？ (A)放大器本身之輸入阻抗為 0 (B)放大器本身之輸出阻抗為無限大 (C)放大器本身之輸出阻抗與電壓放大器相同 (D)其增益單位為歐姆（Ω）
27 圖示電路中場效電晶體之臨限電壓 V
T
=1 V、μ
n
C
ox
(W/L) = 100 μA/V
2
，電壓 V
D
= 0.2 V，則電阻 R
D
約為若干 kΩ？
(A)34 (B)54 (C)74 (D)94
28 如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 g
m
，輸出電阻為 r
o
→∞， 則此放大器的輸入電阻 R
i
為何？
(A)R
S
(B)1/ g
m
+ R
S
(C)∞ (D)0
29 以下之放大器若電晶體操作於順向主動區（forward active region），對於小訊號電壓增益，下列敘述何者無 法降低放大器之低頻 3 dB 頻率ωL？
(A)增加 R
S
(B)增加 R
B
(C)增加 R
C
(D)增加 C 值
30 如圖之電路，振盪發生時，R
2
/ R 為何？
(A)19 (B)29 (C)39 (D)49
31 下列那一種振盪器是屬於較低頻的正弦波振盪器？ (A)考畢子振盪器 (B)韋恩電橋振盪器 (C)哈特萊振盪器 (D)石英晶體振盪器
32 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與所有其他電容，假使此電路之 功率消耗為 2 mW 且低頻增益值為 2.45，V
T
= 26 mV，則其 - 3 dB 頻寬為何？
(A)1 GHz (B)2 GHz (C)3 GHz (D)4 GHz
33 如圖之電路，振盪發生時其振盪頻率為何？
(A)198 Hz (B)298 Hz (C)398 Hz (D)498 Hz
34 如圖所示之理想運算放大器電路，電源為 ± 15 V，則此電路之遲滯（Hysteresis）電壓範圍約為何？
(A)10 V (B)15 V (C)18 V (D)30 V
35 下圖振盪器電路中，V
o
輸出是屬於下列那一種波形？
(A)三角波 (B)方波 (C)正弦波 (D)脈波
36 下列為一被動式濾波器（Passive filter），試研判此電路是何種濾波器？
(A)低通濾波器 (B)高通濾波器 (C)帶通濾波器 (D)全通濾波器
37 圖中振盪器
。其振盪頻率約為：
(A)1 MHz (B)500 kHz (C)250 kHz (D)125 kHz
38 一個放大器在中段頻率範圍內，輸出電壓峰值為 10 V，則在高 3 分貝頻率（Upper 3 dB Frequency）時輸出 電壓峰值約為多少？ (A)5 V (B)7 V (C)10 V (D)14 V
39 分析以下之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 g
m
為 10 mA/V，I
bias
為理想直 流偏壓電流，電晶體之 β = 10。忽略元件之輸出阻抗 r
o
，試求 V
o
/I
i
約為多少？
(A)10 kΩ (B)100 kΩ (C)120 kΩ (D)1.2 MΩ
40 分析以下之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 g
m
為 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 r
o
，試求其輸 入端等效之偏移電壓（offset voltage）|V
os
| =？
(A)1 mV (B)2 mV (C)10 mV (D)20 mV
申論題 (0)
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。其振盪頻率約為： 
