107年 - 107 初等考試_電子工程：電子學大意（重複）#67405

1如圖所示為理想運算放大器之電路，R₁ = 2 kΩ、R₂ = 10 kΩ、R₃ = 2 kΩ，試求其輸入阻抗 R_i為多少？ (A) 1 kΩ (B) 2 kΩ (C) 4 kΩ (D) 10 kΩ

2 如圖所示符號為下列何種元件？ (A)增強型 NMOS (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS

3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度， 此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|V_th| = 0.5 V。V_D1 = 2 V，V_D2 = -2 V，V_D = 2 V， V_E = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？ (A) A 層 (B) B 層 (C) C 層 (D) D 層

4 有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為 V₃ =1002× V₂ − 998×V₁，請 問其差動電壓增益（differential gain）約為多少？ (A) 10 dB (B) 20 dB (C) 40 dB (D) 60 dB

5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 v_I 的波形如下所示， V_DD = 5 V，假設兩個電晶體 Q_P、Q_N的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕 對值均為| V_th | = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即 。 試研判下列波形何者最接近輸出電壓 vO的波形？

(A) (B) 

(C) (D)

6 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 V_I1、V_I2 的電壓波形如下所示，V_CC = 5 V， R₁ = R₂ = 1 kΩ，R₃ = R₄ = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益 β_Q1 = β_Q2 = 100。試研判電晶體 Q₁的集 極電流比較低的時間點： (A) 0 (B) t₁ (C) T (D) t₂

8 如圖中 NPN 雙極性電晶體，β = 100，電晶體基射極的順偏電壓設為 0.8 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集極電流對基極電流的比值為多少？ (A) 12 (B) 22 (C) 80 (D) 100

9 一個 OP AMP 的輸出的上下限為 ± 10 V，迴轉率（slew rate）為 1 V/μs，單增益頻寬 f_t = 1 MHz。若 輸出電壓為如圖所示之三角波（triangle wave），所能操作的最大頻率最接近下列何值？ (A) 5 kHz (B) 50 kHz (C) 100 kHz (D) 1 MHz

14 如圖所示為由齊納（Zener）二極體 D₁與 D₂所構成截波電路及其輸入信號 vi(t)，D₁與 D₂於順偏時可 視為理想，而其在反偏之崩潰電壓分別為 V_Z1 = 6 V 與 V_Z2 = 4 V，輸出信號 v_o(t)的平均值電壓應為多 少？ (A)-0.375 V (B)-0.125 V (C) 0 V (D) 0.25 V

15 如圖所示以電容器 C₁~C₃、理想變壓器及理想二極體 D₁~D₃所構成之倍壓電路，輸入弦波信號且在穩 定狀態下電容器 C₂所跨電壓為 V_C2 = 20 伏特，電容器 C₁與 C₃所跨電壓和（V_C1+V_C3）應約為多少？ (A) 20 V (B) 30 V (C) 40 V (D) 50 V

16 vi(t) = 8sin(ωt)伏特通過圖示的理想箝位電路，輸出信號的最大值與最小值分別為 A 與 B，則 A+B 之 值為多少？ (A)-12 V (B)-8 V (C) 12 V (D) 20 V

17 如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓 v_out之漣波電壓（ripple voltage）值為何？

 (A) 0.22 V (B) 1.88 V (C) 3.55 V (D) 5.66 V

18 如圖所示為此二極體電路之轉移函數，假設二極體皆有開啟電壓 VD,on，當電路操作於區域 II 時，D₁ 與 D₂的狀態分別為何？ (A) D₁ on, D₂ off (B) D₁ off, D₂ on (C) D₁ on, D₂ on (D) D₁ off, D₂ off

20 如圖所示整流電路，D₁耐壓至少為多少？ (A) V_m (B) 2 V_m (C) 3 V_m (D) 4 V_m

21 如圖所示二極體電路，若所有二極體為理想二極體，則電路中電流 I 為多少？ (A)-1 mA (B) 0 mA (C) 1 mA (D) 3 mA

23 如圖所示電路，若 V_CC = 12 V，V_CE = 12 V，則此電晶體的工作區為何？ (A)主動區（active region） (B)截止區（cutoff） (C)三極管區（triode region） (D)飽和區（saturation region）

24 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓 V_A皆為∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？ (A)(1/g_m1) // (1/g_m2) (B) r_π1 // r_π2 (C) r_π1 + r_π2 (D)(1/g_m1) // r_π1

26 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為 β = 120，V_T = 26 mV，V_BE(on) = 0.7 V 且爾利（Early）電壓 V_A = ∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？ (A) 37 (B) 47 (C) 57 (D) 67

27 如圖所示之電路，假定 β = 100 且 V_BE(on) = 0.7 V，若電晶體之直流工作點 V_CEQ = 5 V 且 I_CQ= 10 mA， 求 R_B之值為何？ (A) 34 kΩ (B) 68 kΩ (C) 102 kΩ (D) 136 kΩ

28 如圖所示之共射極放大器，I_C = 1 mA 且 V_BE = 0.8 V。假設電晶體於飽和時之 V_CE(sat) = 0.3 V，請問在 保持放大器的正常操作下，R_L最大的可允許值為何？ (A) 2.5 kΩ (B) 4.2 kΩ (C) 4.7 kΩ (D) 6 kΩ

30 如圖所示為一 MOSFET 疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？ (A)與共源極放大器相比有較高的輸出阻抗 (B)與共源極放大器相比有較小的電壓增益 (C)與共源極放大器相比有較大的頻寬 (D)與共源極放大器相比需較高的偏壓電源

32 如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻 V_R的大小使下列何者為 0 時，可測得 JFET 之夾止電壓（V_P）？ (A) VGS (B) IG (C) VGD (D) ID

33 如圖所示為史密特觸發電路及其輸入-輸出轉移特性曲線，其中 OPA 為理想，若 R₂為 3 kΩ，則 R₁ 的電阻值約為多少？ (A) 1.5 kΩ (B) 3 kΩ (C) 6 kΩ (D) 9 kΩ

34 如圖所示電路為由理想 OPA 構成的雙穩態振盪器，輸入 v_I為-5 及 1 伏特時都無法改變輸出 v_O的原 始儲存值（無論是+12 或-12 V），則電路中的偏壓電源 V_R可能為下列那一電壓值？ (A)-3 V (B) 0 V (C) 1.5 V (D) 3 V

35 如圖所示韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），其所產生的波形為下列何者？ (A)方波 (B)弦波 (C)鋸齒波 (D)三角波

36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L₁ = 40 μH，L₂ = 10 μH， C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？ (A) 1.59 MHz (B) 2.25 MHz (C) 5.63 MHz (D) 10 MHz

37 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 β = 100，NPN 電晶體的 V_BE,active與 PNP 電晶體 的 V_EB,active均為 0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極電流，V_T = 25 mV 並忽略爾利效應（Early effect），求小信號增益 v_o /v_i？ (A)-100 (B)-200 (C) 13,360 (D) 40,000

38 如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知 R = 10 kΩ，C = 16 nF，請問使此電路產 生振盪的基本條件 R₂ /R₁值應為多少？ (A) 1 (B) 2 (C) 3 (D) 4