試題詳解

5 有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓 v_I 的波形如下所示， V_DD = 5 V，假設兩個電晶體 Q_P、Q_N的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕 對值均為| V_th | = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即 。 試研判下列波形何者最接近輸出電壓 vO的波形？

(A)
(B) 

(C)
(D)