所屬科目:技檢◆數位電子-甲級
3. 如下圖所示電路,Q1 為矽電晶體,若限流電阻 Rs=10Ω,則流過 Rs 上的總電流 I 等於(A)30mA(B)3 7mA(C)0.37A(D)0.3A。
11. 當單晶片 MCS-51 存取外部記憶體時,其位址匯流排()是由哪兩個埠組成(A)P1,P2(B)P0,P2(C)P 0,P3(D)P0,P1。
13. 測量低電阻元件之負載電壓與負載電流(),下列接法何者較為正確? (A) (B) (C) (D)
20. 如下圖電路中開關切到 A 點,且時間經過 1 秒後,求此時電容電流值與電容所儲存能量分別是多少? (A)0mA,0.001 焦耳(B)20mA,0.02 焦耳(C)0mA,0.01 焦耳(D)20mA,0.01 焦耳。
22. 已知單晶片 PIC-16 外接 4MHz 工作頻率,有關跳躍指令需 2 個機器週期,其餘指令只需 1 個機器 週期,計算下列延遲副程式 Delay 約需多少執行時間?(A)30 毫秒(B)10 毫秒(C)50 毫秒(D)20 毫秒。
23. 如下圖所示,D 為理想二極體時,則流過 D 之電流值與 D 兩端間的電壓值分別為(A)1mA,3V(B)2.1 5mA,0.7V(C)2.5mA,0V(D)0mA,5V。
25. 如下圖所示為示波器 10:1 被動補償式測試棒,若調整 C1 使 R1C1=R2C2 得到完全補償(A)可提高負載效應(B)可降低輸入阻抗(C)實際頻率比螢光幕上頻率大 10 倍(D)可防止頻率失真。
35. N 通道空乏型 MOSFET,其閘源極間加上一負電壓()時,則通道寬度(A)減少(B)加大(C)不一定 (D)沒有變化。
43. 如下圖所示,輸出為何種邏輯閘?(A)NAND(B)AND(C)NOR(D)OR
44. 下圖為一種主動低通濾波器,求此電路臨界頻率(critical frequency)為(A)15.9KHz(B)1.59KHz(C)159K Hz(D)159Hz。
48. Verilog 語言中,執行下列 timer 模組,下列結果何者不正確?(A)t=1 at time 30(B)t=2 at time 55(C)t =1 at time 25(D)t=1 at time 60。
55. 如下圖所示,其 η 值約為(A)0.55(B)0.85(C)0.75(D)0.65
56. 下圖為何種邏輯符號?(A)反向緩衝器(B)反向器(C)三態反向器(D)三態緩衝器。
61. 如下圖電路,若目前狀態(A,B)為(0,1),下列敘述何者正確?(A)前一個狀態為(0,0)(B)輸入 X 為 1 時, 下一個狀態為(1,1)(C)此電路屬於 Moore 有限狀態機(D)輸入 X 為 1 時,輸出 Y 為 1。
63. 下列元件名稱與其方塊圖符號相符? (A) (B)(C) (D)
74. 如下圖所示,R=3000Ω,XL=j4000Ω,負載電阻 RL 可切換範圍為 0,100,200,…,4000Ω,容抗 XC 可切換範圍為 0,-j100,-j200,…,-j2000Ω,間隔均為 100Ω。調整 RL 及 XC 使對負載產生最大平均 功率轉移,估計負載電阻 RL、容抗 XC 及平均功率 P 的近似值?(A)P 約 7.6mW(B)RL 約 2600Ω(C)R L 約 3600Ω(D)XC 約-j1000Ω。
79. 空乏型 FET,若其夾止電壓,則當加在閘極至源極的電壓且 時,此 FET 會工作在什麼區域?(A)崩潰區(B)截止區(C)三極管區(D)飽和區。