107年 - 108 漢翔航空工業股份有限公司_新進人員甄選_師級／電子電機A、電子電機B：電子學#79630

9 真值表如下，最簡之邏輯式子為下列何者？ 

(A)Y=C (B)Y=A+B+C (C)Y=A’B’C’ (D)Y=A’B’C’+A’BC

11 如【圖 11】中流過 R2 之電流 i2 等於下列何者？ (A)0.57mA (B)3.4mA (C)6.8mA (D)1.51mA

13如【圖 13】中，雙極電晶體的 β=100，V_BE(ON)=0.7V，電源 V_CC=12V，R_B=1.13MΩ、 R_C=5KΩ，則此電晶體的工作點 V_CEQ約為何？

 (A)0.7V (B)7V (C)11.3V (D)5V

14 如【圖 14】中，D₁ 的耐壓至少需為多少？ (A)vs|peak/2 (B)vs|peak (C)2vs|peak (D)3vs|peak

20 一理想運算放大器之接線如【圖 20】，電源為±10V，R₁=1KΩ，R₂=100KΩ，若 v_I=1mV， 則： (A)運算放大器之輸入端－＋間電流為 1mA (B)運算放大器之輸入端－＋間為-1mV (C)R2 電流為 0.01µA (D)vO=-0.1V

24二極體與電阻組成邏輯閘如【圖 24】，其中 A、B 為輸入，Y 為輸出，此布林函數為何？ (A)Y=A+B (B)Y=AB (C)Y= (D)Y=

25 二極體電路如【圖 25】所示，若二極體的切入電壓為 0.7V、順向偏壓電阻為 1Ω，則電流 Io 為何？ (A)0A (B)0.46A (C)0.93A (D)1.93A

26 二極體組成電路如【圖 26】，若二極體為理想特性，則電流 Io 為何？ (A)6mA (B)5mA (C)4mA (D)3mA

27 半波整流電路如【圖 27】，若二極體為理想特性，電源電壓，則輸出電 壓 v_o 的平均值為多少 V？ (A) (B) (C) (D)

29 雙極性接面電晶體（BJT）在作用區操作時，放大器的直流偏壓電路中， ， 其中 IＣ為集極電流，IB為基極電流，IE為射極電流，則下列何者正確？ (A) (B) (C) (D)

31 雙極性接面電晶體（BJT）的小信號模式如【圖 31】所示，其中 VT為熱電壓（thermal voltage），I_B、I_C及 I_E分別為基極、集極及射極電流，則下列何者正確？ 

(A) (B) (C) (D)

32 運算放大器的電路如【圖 32】，若運算放大器為理想特性，則電壓增益 v_o/v_in為何？ (A)1 (B)2 (C)-1 (D)-2

34 如【圖 34】所示，若運算放大器為理想特性，則 vo/vin為： (A) (B) (C) (D)

35 如【圖 35】所示，若運算放大器為理想特性，v_i、v₂ 為輸入，v_o 為輸出，則下列何者正確？

(A) (B) (C) (D)

39由稽納（Zener）二極體組成的穩壓電路如【圖 39】，稽納電壓 VZ為 6V，忽略稽納二極體 的逆向偏壓時的電阻，則此稽納二極體消耗的功率為： (A)6mW (B)12mW (C)18mW (D)24mW

40 二極體橋式整流電路如【圖 40】，若 v_in=100sin377t V，則每個二極體所需承受的最大逆向 電壓（PIV）為： (A)100V (B)200V (C)300V (D)400V

42 【圖 42】為運算放大器的應用電路，若輸入信號 v₁ 為三角波，則輸出 v_O近似為何？ (A)三角波 (B)正弦波 (C)方波 (D)鋸齒波

46 如【圖 46】中，雙極電晶體的 β=100，V_BE(ON)=0.7V，此電路之電壓增益 A_v=V_oV_s約為幾 倍？ (A)4 倍 (B)-5 倍 (C)70 倍 (D)-100 倍

49 如【圖 49】為 TTL 數位元件之內部電路，若兩輸入端 v_X、v_Y 均空著，未接其他電路時，其 輸出 v_O約為何？ (A)2.5V (B)3.7V (C)0V (D)5.0V

50 如【圖 50】中，FET 之互導 g_m=1mΩ 、輸出阻抗 r_o=∞ Ω，R₁=100KΩ、R₂=200KΩ、 R_s=1KΩ，則 v_o 端之輸出阻抗為何？ (A)∞ Ω (B)66.6KΩ (C)1KΩ (D)500Ω

51 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 51】，若電晶體 β=100，V_BE=0.7V，則此集極電流 I_c 為： (A)0.04mA (B)0.4mA (C)4mA (D)8mA

52 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 52】7，若電晶體 β=200、V_BE=0.7V，則此集極－射極 電壓 V_CE為： (A)1V (B)3V (C)5V (D)7V

53 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）偏壓電路如【圖 53】，已知電晶體的參數 K=0.5 2 mA /V² ，臨界電壓（threshold viltage）V_t=2V、V_DS=4V，則此 R_D 為： (A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ

55 如【圖 55】所示，運算放大器為理想特性，V_i(s)及 V_o(s)分別為 v_i及 v_o 的拉式轉換（Laplace transformation），則 V_o(s)/V_i(s)為： (A)-R₁C₁S (B)− (C) ) − (D)-(R₁+C₁S)

56 如【圖 56】所示，此電路的功能為： (A)積分器 (B)微分器 (C)加法器 (D)減法器

57 二極體電路如【圖 57】，若二極體為理想特性，電路中 I₁ 為： (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)5mA

58 雙極性接面電晶體放大電路如【圖 58】所示，若電晶體的順向電流增益 β=100，熱電壓 （thermal voltage）V_T=25mA、V_BE=0.7V，忽略 C_i、C_o 的電容效應，則小信號電壓增益 v_o/v_i 為何？ (A)-200 (B)-150 (C)-100 (D)-50

59 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 59】，若電晶體的順向電流增益 β=99、V_BE=0.7V，則 集極電流 I_C為： (A)2.6mA (B)3.6mA (C)4.6mA (D)5.6mA

60 增強型金氧半場效型電晶體（MOSFET）的放大電路如【圖 60】所示，若 MOSFET 的參數 K=0.2mA /V² ，臨界電壓（threshold voltage）V_t=2V，忽略 C_i、C_o 的電容效應，則此電路的 小信號電壓增益 v_o/v_i為： (A)-2.8 (B)-3.8 (C)-4.8 (D)-5.8