所屬科目:電子學
9 真值表如下,最簡之邏輯式子為下列何者?
(A)Y=C (B)Y=A+B+C (C)Y=A’B’C’ (D)Y=A’B’C’+A’BC
11 如【圖 11】中流過 R2 之電流 i2 等於下列何者? (A)0.57mA (B)3.4mA (C)6.8mA (D)1.51mA
13如【圖 13】中,雙極電晶體的 β=100,VBE(ON)=0.7V,電源 VCC=12V,RB=1.13MΩ、 RC=5KΩ,則此電晶體的工作點 VCEQ約為何?
(A)0.7V (B)7V (C)11.3V (D)5V
14 如【圖 14】中,D1 的耐壓至少需為多少? (A)vs|peak/2 (B)vs|peak (C)2vs|peak (D)3vs|peak
20 一理想運算放大器之接線如【圖 20】,電源為±10V,R1=1KΩ,R2=100KΩ,若 vI=1mV, 則: (A)運算放大器之輸入端-+間電流為 1mA (B)運算放大器之輸入端-+間為-1mV (C)R2 電流為 0.01µA (D)vO=-0.1V
24二極體與電阻組成邏輯閘如【圖 24】,其中 A、B 為輸入,Y 為輸出,此布林函數為何? (A)Y=A+B (B)Y=AB (C)Y= (D)Y=
25 二極體電路如【圖 25】所示,若二極體的切入電壓為 0.7V、順向偏壓電阻為 1Ω,則電流 Io 為何? (A)0A (B)0.46A (C)0.93A (D)1.93A
26 二極體組成電路如【圖 26】,若二極體為理想特性,則電流 Io 為何? (A)6mA (B)5mA (C)4mA (D)3mA
27 半波整流電路如【圖 27】,若二極體為理想特性,電源電壓,則輸出電 壓 vo 的平均值為多少 V? (A) (B) (C) (D)
29 雙極性接面電晶體(BJT)在作用區操作時,放大器的直流偏壓電路中, , 其中 IC為集極電流,IB為基極電流,IE為射極電流,則下列何者正確? (A) (B) (C) (D)
31 雙極性接面電晶體(BJT)的小信號模式如【圖 31】所示,其中 VT為熱電壓(thermal voltage),IB、IC及 IE分別為基極、集極及射極電流,則下列何者正確?
(A) (B) (C) (D)
32 運算放大器的電路如【圖 32】,若運算放大器為理想特性,則電壓增益 vo/vin為何? (A)1 (B)2 (C)-1 (D)-2
34 如【圖 34】所示,若運算放大器為理想特性,則 vo/vin為: (A) (B) (C) (D)
35 如【圖 35】所示,若運算放大器為理想特性,vi、v2 為輸入,vo 為輸出,則下列何者正確?
39由稽納(Zener)二極體組成的穩壓電路如【圖 39】,稽納電壓 VZ為 6V,忽略稽納二極體 的逆向偏壓時的電阻,則此稽納二極體消耗的功率為: (A)6mW (B)12mW (C)18mW (D)24mW
40 二極體橋式整流電路如【圖 40】,若 vin=100sin377t V,則每個二極體所需承受的最大逆向 電壓(PIV)為: (A)100V (B)200V (C)300V (D)400V
42 【圖 42】為運算放大器的應用電路,若輸入信號 v1 為三角波,則輸出 vO近似為何? (A)三角波 (B)正弦波 (C)方波 (D)鋸齒波
46 如【圖 46】中,雙極電晶體的 β=100,VBE(ON)=0.7V,此電路之電壓增益 Av=VoVs約為幾 倍? (A)4 倍 (B)-5 倍 (C)70 倍 (D)-100 倍
49 如【圖 49】為 TTL 數位元件之內部電路,若兩輸入端 vX、vY 均空著,未接其他電路時,其 輸出 vO約為何? (A)2.5V (B)3.7V (C)0V (D)5.0V
50 如【圖 50】中,FET 之互導 gm=1mΩ 、輸出阻抗 ro=∞ Ω,R1=100KΩ、R2=200KΩ、 Rs=1KΩ,則 vo 端之輸出阻抗為何? (A)∞ Ω (B)66.6KΩ (C)1KΩ (D)500Ω
51 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 51】,若電晶體 β=100,VBE=0.7V,則此集極電流 Ic 為: (A)0.04mA (B)0.4mA (C)4mA (D)8mA
52 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 52】7,若電晶體 β=200、VBE=0.7V,則此集極-射極 電壓 VCE為: (A)1V (B)3V (C)5V (D)7V
53 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)偏壓電路如【圖 53】,已知電晶體的參數 K=0.5 2 mA /V2 ,臨界電壓(threshold viltage)Vt=2V、VDS=4V,則此 RD 為: (A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ
55 如【圖 55】所示,運算放大器為理想特性,Vi(s)及 Vo(s)分別為 vi及 vo 的拉式轉換(Laplace transformation),則 Vo(s)/Vi(s)為: (A)-R1C1S (B)− (C) ) − (D)-(R1+C1S)
56 如【圖 56】所示,此電路的功能為: (A)積分器 (B)微分器 (C)加法器 (D)減法器
57 二極體電路如【圖 57】,若二極體為理想特性,電路中 I1 為: (A)1mA (B)2mA (C)3mA (D)5mA
58 雙極性接面電晶體放大電路如【圖 58】所示,若電晶體的順向電流增益 β=100,熱電壓 (thermal voltage)VT=25mA、VBE=0.7V,忽略 Ci、Co 的電容效應,則小信號電壓增益 vo/vi 為何? (A)-200 (B)-150 (C)-100 (D)-50
59 雙極性接面電晶體的偏壓電路如【圖 59】,若電晶體的順向電流增益 β=99、VBE=0.7V,則 集極電流 IC為: (A)2.6mA (B)3.6mA (C)4.6mA (D)5.6mA
60 增強型金氧半場效型電晶體(MOSFET)的放大電路如【圖 60】所示,若 MOSFET 的參數 K=0.2mA /V2 ,臨界電壓(threshold voltage)Vt=2V,忽略 Ci、Co 的電容效應,則此電路的 小信號電壓增益 vo/vi為: (A)-2.8 (B)-3.8 (C)-4.8 (D)-5.8