109年 - 109 初等考試_電子工程：電子學大意#81925

3 圖示為理想運算放大器電路，若 R₁ = 1 kΩ、R₂ = 3 kΩ、Ra = 1 kΩ、R_b = 3 kΩ，v₁ = 4 V，v₂ = －2 V，則輸出電壓 v_O為若干 V？ (A) 0 (B) 5 (C) 10 (D) 12

4 圖示電路中場效電晶體（FET）之 V_TH = －0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（SaturationRegion）？ (A) V_G = 5 V、V_D = 4 V (B) V_G = 4 V、V_D = 4 V (C) V_G = 3 V、V_D = 4 V (D) V_G = 2 V、V_D = 4 V

5 圖示為理想運算放大器電路，若運算放大器的正負輸出飽和電壓為± 10V，二極體導通時兩端電壓為0.7 V，輸入電壓 v_I為 +1 V，則 v_O為若干 V？ (A)-10 (B) 0 (C)+1 (D)+10

6 有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳 V_I1、V_I2 的電壓波形如下所示，V_CC = 5 V，R₁ = R₂ = 1 kΩ，R₃ = R₄ = 100 Ω，C_L = 5 μF，電晶體電流增益 β_Q1 = β_Q2 = 100。試研判電晶體 Q2在時間點 T 最可能的工作模式： (A)飽和模式（Saturation mode） (B)線性模式（Linear mode） (C)主動模式（Active mode） (D)截止模式（Cut-off mode）

7 如圖所示為一 CMOS 反相器，電晶體之 μ_nC_ox = μ_pC_ox；兩電晶體之 W/L 相同；V_tn = |V_tp|。反相器之負載為電容 C_L。若輸入的信號 v_i為方波，其高電位為 V_DD、低電位為 0，週期為 T。問流過電晶體 Q_P的平均電流？ (A) 0 (B)(μ_pC_ox/2)(W/L)(V_DD－|V_tp|)² (C) V_DDC_L/(2T) (D) V_DDC_L/T

12 如圖運算放大器電路，若電壓增益 A 為無限大，試求輸出電壓 v_o=？ (A)－4 V (B) 4 V (C)－6 V (D) 6 V

13 電容器 C₁~C₃配合變壓器 T 及二極體 D₁~D₃所構成之倍壓電路如圖，輸入信號 v_i(t) = 100 sin(377t) 伏特、N₁：N₂=10：1 且變壓器與所有二極體均視為理想時，在電路穩態條件下電容器 C₁~C₃所跨電壓V_C1~V_C3之敘述何者正確？ (A) V_C1+V_C2 = 20 V (B) V_C1+V_C3 = 30 V (C) V_C2+V_C3 = 10 V (D) V_C1+V_C2+V_C3 = 40 V

16 圖示半波整流電路之輸入信號 v_i(t) = 20 sin(754t) 伏特及 N₁：N₂ = 2：1，變壓器與二極體均視為理想，關於輸出信號 v_o(t)之頻率 f_o、有效值電壓 V_o(rms)、平均值電壓 V_o(dc)、峰值電壓 V_o(p)等的約略值，下列敘述何者正確？ (A) f_o = 754 Hz (B) V_o(p) = 20 V (C) V_o(rms) = 7.1 V (D) V_o(dc) = 3.2 V

17 圖示截波電路中，齊納（Zener）二極體 D₁ 與 D₂ 於順偏時視為理想而反偏時之崩潰電壓分別為V_Z1= 5 V 與 V_Z2 = 7 V，當輸入信號 v_i(t)=10 sin(ωt) 伏特時，求輸出信號 v_o(t)的峰對峰電壓值為多少伏特？ (A) 2 V (B) 5 V (C) 7 V (D) 12 V

18 振幅為 8 伏特的三角形週期波信號輸入如圖所示之截波電路（D 為理想二極體），決定輸出信號 vo(t)的平均值電壓為多少伏特？ (A) 0.5 V (B) 1 V (C)－0.5 V (D)－1 V

19 如圖所示之電路，假如二極體之壓降 V_D為 0.7 V，求其輸出電壓 v_o之平均值為何？ (A) 5.37 V (B) 10.58 V (C) 23.3 V (D) 109.3 V

20 圖中 v(t)的電壓波形為振幅對稱之三角波，經過微分器後，其輸出波形為何？ (A)正弦波 (B)三角波 (C)直流 (D)方波

23 圖示電路，若 V_CC = 10 V，V_CE= 3V，則此電晶體的工作區應為何？ (A)主動區（Active Region） (B)飽和區（Saturation Region） (C)三極管區（Triode Region） (D)截止區（Cutoff）

24 如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓 V_A = ∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？ (A) R₁ (B) R₂ (C) R₁+ R₂ (D) R₂ // (1/g_m)

25 如圖為 MOSFET 差動式放大器，已知電晶體 Q₁和 Q₂的臨界電壓 V_TH、轉導 g_m、輸出阻抗 r_o等參數均相同，試求差動增益 A_d = v_od /v_id之值？ (A) g_mR_D (B)－g_mR_D (C) g_mR_D /2 (D)－g_mR_D /2

26 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為 β_npn = 100，1 kT/q = 1VT = 26 mV 且爾利（Early）電壓 V_A = ∞，假定此電路之直流偏壓電流 I_C = 4 mA，求此電路之小信號電壓增益值為何？ (A) 72.8 (B) 115.8 (C) 154.8 (D) 173.8

27 如圖所示之電路，假設電晶體 M 之參數如下：μ_nC_ox = 200 μA/V²，V_TH = 0.4 V 且 λ = 0；若跨在電阻R_S上之電壓為 300 mV，欲使 M 維持在飽和區之最小可容許之 W/L 值為何？ (A) 20 (B) 40 (C) 60 (D) 80

29 如圖所示之射極隨耦器之 v_o/v_i最接近值為何？假設電流源為理想且1kT / q= 1V_T = 26 mV。 (A) 0.9 (B) 0.8 (C) 0.7 (D) 0.6

30 如圖所示共射極放大器之 v_o/v_i為何？假設電晶體之 g_m = 50 mA/V，β = 50。 (A)－25 (B)－50 (C)－75 (D)－100

33 如圖之 RC 串級放大電路中，第2 級放大電路（未顯示）的輸入電阻 R_i2 =1.5 kΩ，電晶體之 β₁ = 81、V_BE,on = 0.6 V，求第 1 級放大電路的電壓增益大小（v_o1/v_i）最接近值為： (A) 30 (B) 60 (C) 80 (D) 100

34 下列有關圖示電路的敘述何者正確？ (A)為微分電路 (B)-3dB 頻率與 R₁成正比 (C)直流電壓的增益為－R₂/R₁ (D)為高通濾波器

35 如圖所示為一文氏電橋振盪器。R₂ = 100 kΩ，R₁ = 20 kΩ，R = 10 kΩ，C = 0.1 μF。求振盪器的振盪頻率？ (A) 15.9 Hz (B) 79.6 Hz (C) 159 Hz (D) 1000 Hz

36 如圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體 Q 之g_m = 10 mA/V，R_E = 1 kΩ，L = 20 μH，C₁ = 25 pF，C₂ = 100 pF。假若電晶體由基極視入的阻抗大到可以忽略。求電路的振盪頻率？ (A) 3.2 MHz (B) 8 MHz (C) 32 MHz (D) 80 MHz

39 如圖電路，已知 R = 10 kΩ 和 C = 0.01 μF，輸入為 ± 5 V 對稱方波，試求輸出三角波電壓在 t = 0到 t = t₁ 的斜率為多少 V/sec？ (A)+5× 10⁴ (B)－5× 10⁴ (C)－10× 10⁴ (D)+10× 10⁴

40 如圖雙穩態電路，已知輸出電壓 v_o飽和在± 13 V，若設計臨界電壓（threshold voltage）在± 5 V，且令 R₁ = 10 kΩ，試求 R₂為多少？ (A) 16 kΩ (B) 20 kΩ (C) 32 kΩ (D) 40 kΩ