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109年 - 109 初等考試_電子工程:電子學大意#81925
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試題詳解
試卷:
109年 - 109 初等考試_電子工程:電子學大意#81925 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
109年 - 109 初等考試_電子工程:電子學大意#81925
年份:
109年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
31 關於 MOSFET 的本質增益 g
m
r
o
,下列敘述何者正確?
(A) g
m
r
o
與過驅電壓(V
GS
-V
TH
)成正比
(B) g
m
r
o
與過驅電壓(V
GS
-V
TH
)成反比
(C) g
m
r
o
與偏壓電流 I
D
成正比
(D) g
m
r
o
與偏壓電流 I
D
成反比
正確答案:
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