113年 - 113 臺北市立大安高級工業職業學校_教師甄選資訊科筆試試題：電子學#119328

1. 如圖(一)已知 D1、D2 均為理想二極體，求 V₀=?
(A)0V (B)2.5V (C)3.33V (D)5V

2. 如圖(二)已知電晶體=0.8V，可近似 0V，希望電晶體工作在飽和區的條件為?
(A) (B)(C)(D)(E)一律給分

3. 某學生設計分壓式直流偏壓，電路如圖(三)已知電晶體=0.6V、β=209，求=?
(A) 1.2mA (B)1.8mA (C)2mA (D)2.4mA

4. N 通道空乏型 DMOS，已知夾止電壓=-4V，某學生設計偏壓如圖(四)，問電晶體工作於哪區域?
(A)歐姆區 (B)夾止區 (C)截止區 (D)崩潰區

5. 圖(五)已知 K₁=K₃=0.9mA/V²，K₂=0.4mA/V²，=1V，求=?
(A)5V (B)15V (C)12V (D)7V

6. 圖(六)求=?
(A)-2 (B)-101(C)-102 (D)-103

7. 圖(七) 的電路功能為?
(A) 理想同相積分器 (B)理想反相積分器 (C)理想同相微分器 (D)理想反向微分器

二、 填充題
1. 如圖(八)已知電源 Vi(t)=100sin(314t)，求經過變壓半波整流濾波後輸出電壓V₀的連波電壓峰對峰值，約為_____[V]。

2. 某學生設計 BJT 直流偏壓電路如圖(九)，已知電晶體=0.8V、=0.2V，β=500，求直流靜態電壓=_____[V] 。

3. 某學生設計 BJT 放大電路如圖(十)，已知電晶體 rπ=1kΩ，β=500，求小訊號電壓增益=Vo/Vi=_____

4. 考量 rd 情況時，已知μ=gm x rd，請利用μ模型，推導圖(十一)的電壓增益()公式 =_________

5. 已知圖(十二)兩個 EMOS 的 gm=4mA/V，求此差動放大器的同模拒斥比(CMRR)=______

6. 圖(十三)CMOS 數位電路將輸入 A 與 B 做邏輯運算並輸出至 Y，其中 Y(A,B)=_______

7. 圖(十四)為 OPA 組成的三角波產生器，求輸出頻率 fo=______