115年 - 115 台灣電力公司_新進僱用人員甄試試題：電子學#139792

1. 有關二極體與雙極性接面電晶體之比較，下列敘述何者有誤？(A)兩者皆具有PN接面(B)二極體可做為開關，雙極性接面電晶體則否(C)雙極性接面電晶體可用於小訊號放大，二極體則否(D)雙極性接面電晶體有三個電極，二極體僅有兩個電極

2. 有關振盪器之敘述，下列何者有誤？(A)低頻振盪器一般採用RC電路(B)射頻振盪器一般採用LC電路(C)是用來將交流電變成直流電的裝置(D)加上正回授是振盪器的必要條件

3. 一橋式整流器輸出之平均電壓為 $10 \mathrm{~V}$，試問其輸入交流電壓之峰值約為何？(A) $10 \mathrm{~V}$(B) $14.14 \mathrm{~V}$(C) $15.7 \mathrm{~V}$(D) $31.4 \mathrm{~V}$

4. 有關二極體特性之敘述，下列何者有誤？(A)逆向偏壓愈大，則逆向飽和電流也愈大(B)空乏區電場方向是由N型指向P型(C)擴散電流因載子濃度不均所造成(D)漂移電流是由於外加電壓所引起

5. 有關JFET共汲極放大電路之敘述，下列何者正確？(A)又稱為源極隨耦器(B)電壓增益甚高(C)電流增益低於1(D)輸出訊號與輸入訊號相位相反

6. 一差動放大器，其兩輸入電壓分別為 $\mathrm{V}_{11} = 55 \mu \mathrm{V}, \mathrm{V}_{12} = 45 \mu \mathrm{V}$，共模拒斥比為 $40 \mathrm{~dB}$，差模增益為500，下列何者正確？(A)共模增益為10(B)差模輸入電壓為 $5 \mu \mathrm{V}$(C)共模輸入電壓為 $100 \mu \mathrm{V}$(D)輸出電壓為 $5.25 \mathrm{mV}$

7. 一單極點RC低通濾波器的時間常數為 $0.159 \mathrm{~ms}$，則其三分貝頻帶寬約為何？(A) $0.1 \mathrm{kHz}$(B) $0.5 \mathrm{kHz}$(C) $1 \mathrm{kHz}$(D) $159 \mathrm{kHz}$

8. 當理想運算放大器接成反相放大器時，若輸入為 $0.1 \mathrm{~V}$，輸出為 $-1 \mathrm{~V}$，若輸入為 $0.3 \mathrm{~V}$，則輸出為何？(A) $-6 \mathrm{~V}$(B) $-3 \mathrm{~V}$(C) $3 \mathrm{~V}$(D) $6 \mathrm{~V}$

9. 荷電載子在半導體內的漂移電流，是源自於下列何者？(A)載子濃度不均勻(B)外加電壓(C)熱效應(D)光線照射

10. 下列何種方式可降低電阻—電容濾波電路之漸波電壓值？(A)提高二極體耐壓值(B)提高電容值(C)使用低電阻負載(D)使用升壓變壓器

11. 某場效電晶體的 $\mathrm{K} = 2 \mathrm{~mA} / \mathrm{V}^{2}$，若直流工作點的汲極電流為 $8 \mathrm{~mA}$，試問互導 $\mathrm{g}_{\mathrm{m}}$ 為何？(A) $8 \mathrm{~mS}$(B) $10 \mathrm{~mS}$(C) $12 \mathrm{~mS}$(D) $14 \mathrm{~mS}$

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12. 有關場效電晶體之優點，下列何者有誤？ (A)輸入阻抗高 (B)雜訊較低 (C)製作簡單 (D)增益與頻寬乘積甚大

13. 一功率電晶體，接面最高允許溫度 $\mathrm{T}_{\mathrm{J}(\max)} = 175^{\circ}\mathrm{C}$，在外殼溫度 $\mathrm{T}_{\mathrm{C}} = 25^{\circ}\mathrm{C}$ 下，若 $\theta_{\mathrm{Jc}} = 1^{\circ}\mathrm{C} / \mathrm{W}$，則最高散逸功率為何？ (A) $150 \mathrm{~W}$ (B) $200 \mathrm{~W}$ (C) $250 \mathrm{~W}$ (D) $300 \mathrm{~W}$

14. 下列何者為輸出及輸入電壓反相180度的放大器組態？ (A)共基極( CB ) (B)共射極( CE ) (C)共集極( CC ) (D)共汲極( CD )

15. 有關串級放大器之敘述，下列何者有誤？ (A) RC耦合放大器在低頻時增益會下降 (B)直接耦合放大器的工作點較容易漂移 (C)達靈頓電路的電流增益略小於1 (D)變壓器耦合放大器的功率移轉效率較高

16. 有關MOSFET特性之敘述，下列何者有誤？ (A)增強型MOSFET結構上少了通道 (B) N通道空乏型MOSFET夾止電壓為負值 (C) P通道增強型MOSFET臨界電壓為正值 (D) MOSFET有空乏型及增強型兩種形式

17. 如右圖所示之三級放大器，若輸入電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{in}} = 2 \mathrm{mV}$，則輸出電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{out}}$ 為何？ (A) $1 \mathrm{~V}$ (B) $2 \mathrm{~V}$ (C) $3 \mathrm{~V}$ (D) $4 \mathrm{~V}$

18. 如右圖所示，若調整變壓器初級線圈與次級線圈的圈數比，可讓揚聲器獲得最大之功率，則此最大功率為何？ (A) $0.5 \mathrm{~W}$ (B) $1 \mathrm{~W}$ (C) $5 \mathrm{~W}$ (D) $10 \mathrm{~W}$

19. 一功率放大器之直流輸入功率為 $50 \mathrm{~W}$，交流輸出功率為 $43 \mathrm{~W}$，則其類型屬下列何者？ (A) A類 (B) B類 (C) AB類 (D) C類

20. 如右圖所示，若稽納二極體之崩潰電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{z}} = 8 \mathrm{~V}$，則此稽納二極體之消耗功率為何？ (A) $8 \mathrm{~mW}$ (B) $16 \mathrm{~mW}$ (C) $64 \mathrm{~mW}$ (D) $128 \mathrm{~mW}$

21. 有關兩個共射極放大器構成RC耦合串級放大器電路之敘述，下列何者有誤？ (A)低頻的電壓增益不會受到耦合電容的影響而降低 (B)第一級直流工作點的變化不會影響到第二級的交流電壓增益 (C) RC耦合串級放大器電路，級與級間直流工作點不互相影響 (D) RC耦合串級放大器電路，級與級間阻抗匹配不易，容易消耗許多功率

22. 如右圖所示之理想運算放大器電路，其輸出電壓 $\mathrm{V}_{\mathrm{o}}$ 為何？ (A) $-12 \mathrm{~V}$ (B) $-10 \mathrm{~V}$ (C) $-8 \mathrm{~V}$ (D) $-6 \mathrm{~V}$

23. 二極體在逆向偏壓時可當做電容器，當逆向偏壓變大時，下列何者正確？ (A)電容量不變 (B)電容量變小 (C)電容量變大 (D)電容量先小後大

24. 本質半導體摻入下列何項雜質元素，即可成為P型半導體？ (A)磷 (B)砷 (C)銻 (D)硼

25. 雙極性接面電晶體工作於主動區之 $\alpha = 0.99$，其β值為何？ (A) 99 (B) 199 (C) 200 (D) 201

26. 有關稽納二極體之敘述，下列何者正確？ (A)稽納崩潰時其稽納電壓為負溫度係數 (B)累增崩潰時其稽納電壓為負溫度係數 (C)累增崩潰是由於電場效應增強所引發 (D)稽納崩潰是由於熱效應增強所引發

27. 有關發光二極體(LED)元件之敘述，下列何者正確？ (A)逆向偏壓下才能發光 (B)順向電流大小決定發光顏色 (C)發光強度與順向電流成反比 (D)順向偏壓下電子和電洞復合時釋出能量發光

28. 有關半導體之敘述，下列何者正確？ (A)當溫度升高時本質半導體的電阻會變大 (B)外質半導體內電洞與自由電子的濃度相同 (C)P型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度 (D)N型半導體內總電子數大於總質子數

29. 有關整流濾波電路之敘述，下列何者正確？ (A)整流濾波電路之負載愈大，輸出漣波電壓愈大 (B) $\pi$ 型濾波電路之L值愈大，波形因數愈大 (C) RC濾波電路之負載相同時電容值愈大，輸出漣波電壓愈大 (D)全波整流電路之輸出漣波頻率與交流電源頻率相同

30. 雙極性接面電晶體(PNP)操作於B-E接面逆偏，B-C接面順偏下，屬於下列何種區域？ (A)順向主動區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)反向主動區

31. 有關BJT三種基本組態放大器(CE、CB、CC)之特性比較，下列敘述何者有誤？ (A)共射極(CE)放大器之功率增益為三者中最大，且其輸出、輸入電壓訊號相位相反 (B)共基極(CB)放大器之電流增益略小於1，具有高頻響應良好之特性 (C)共集極(CC)放大器之電壓增益略小於1，且其輸入阻抗為三者中最高 (D)共射極(CE)又稱為射極隨耦器

32. 一N通道增強型MOSFET之臨界電壓 $V_{\mathrm{T}} = 2 \mathrm{~V}$，當工作於飽和區且開一源極間電壓 $V_{\mathrm{GS}} = 4 \mathrm{~V}$ 時，汲極電流為 $4 \mathrm{~mA}$；若 $V_{\mathrm{GS}} = 5 \mathrm{~V}$，則汲極電流為何？ (A) $3 \mathrm{~mA}$ (B) $5 \mathrm{~mA}$ (C) $7 \mathrm{~mA}$ (D) $9 \mathrm{~mA}$

33. 在振盪器中，下列何種電路的輸出信號波形為「弦波」？ (A)單穩態多諧振盪電路 (B)雙穩態多諧振盪電路 (C) RC相移振盪電路 (D) 555定時器振盪電路

34. 有關BJT含射極回授電阻的分壓偏壓電路(無射極旁路電容)放大器之敘述，下列何者正確？ (A)直流工作點位置幾乎和β值無關 (B)加入射極回授電阻可使得電壓增益提升 (C)加入射極回授電阻可使得輸入阻抗降低 (D)電路為正回授設計

35. 當運算放大器的輸入電壓變動時，輸出電壓的最大變化率為下列何者？ (A)輸出電壓擺幅 (B)輸入抵補電壓 (C)迴轉率(Slew Rate, SR) (D)共模拒斥比(CMRR)

36. 若BJT共射極放大器電路之電壓增益大小為100，當輸入電壓訊號 $\mathrm{v_i(t)} = 20\sin (377\mathrm{t})\mathrm{mV}$ 時，則其輸出電壓訊號為何？ (A) $2\cos (377\mathrm{t})\mathrm{V}$ (B) $-2\sin (377\mathrm{t})\mathrm{V}$ (C) $2000\cos (377\mathrm{t})\mathrm{V}$ (D) $2000\sin (377\mathrm{t})\mathrm{V}$

37. 單級放大器之低頻截止頻率為 $f_{\mathrm{L}} = 1 \mathrm{kHz}$，高頻截止頻率為 $f_{\mathrm{H}} = 200 \mathrm{kHz}$，若將兩個此種放大器串接成一組兩級放大器，則此串級放大器的頻帶寬度約為何？(提示：$\sqrt{0.414} \approx 0.64$) (A) $105.62\mathrm{kHz}$ (B) $126.44\mathrm{kHz}$ (C) $156.25\mathrm{kHz}$ (D) $199\mathrm{kHz}$

38. 有關理想運算放大器的特性，下列敘述何者有誤？ (A)輸出阻抗 $R_{0} = 0$ (B)共模電壓增益 $A_{\mathrm{c}} = \infty$ (C)輸入阻抗 $R_{\mathrm{i}} = \infty$ (D)共模拒斥比CMRR = ∞

39. 一N通道空乏型MOSFET工作時，其開極電壓為何？ (A)僅為正電壓 (B)僅為負電壓 (C)可為正或負電壓 (D)必須接地

40. 一共射極(CE)放大器，其電壓增益大小為99。若在基極( B )與集極( C )之間存在一個寄生電容 $C_{\mathrm{bc}} = 10 \mathrm{pF}$，根據米勒定理(Miller's Theorem)，此電容映射到「輸入端」的等效電容 $C_{1}(\text{Miller})$ 為何？ (A) $10 \mathrm{pF}$ (B) $980 \mathrm{pF}$ (C) $990 \mathrm{pF}$ (D) $1000 \mathrm{pF}$

41. 如右圖所示之電路，若 $\mathrm{D}_{1}$ 及 $\mathrm{D}_{2}$ 均為理想二極體， $\mathrm{v}_{\mathrm{i}}(\mathrm{t}) = 200\sqrt{2}\sin 377\mathrm{tV}$，變壓器匝數比 $\mathrm{N}_{1}:\mathrm{N}_{2}:\mathrm{N}_{3} = 10:1:1$，則電阻 $5\Omega$ 上的電流 $\mathrm{i}_{\mathrm{o}}$ 有效值為何？ (A) $\mathrm{i_o} = 2\mathrm{A}$ (B) $\mathrm{i_o} = 2\sqrt{2}\mathrm{A}$ (C) $\mathrm{i_o} = 4\mathrm{A}$ (D) $\mathrm{i_o} = 4\sqrt{2}\mathrm{A}$

42. 如右圖所示之雙準位截波電路，若 $\mathrm{Vi} = 10\sin (\omega t)\mathrm{V}$，且D1與D2為理想二極體，則 $\mathrm{V_o}$ 輸出波形之電壓範圍為何？ (A) $-8\mathrm{V}$ 至 $+12\mathrm{V}$ (B) $-8\mathrm{V}$ 至 $+8\mathrm{V}$ (C) $-12\mathrm{V}$ 至 $+8\mathrm{V}$ (D) $-12\mathrm{V}$ 至 $+12\mathrm{V}$

43. 如右圖所示之電路， $\mathrm{R}_1 = 10\mathrm{k}\Omega$ ， $\mathrm{R}_2 = 5\mathrm{k}\Omega$ ， $\mathrm{R_E} = 3.3\mathrm{k}\Omega$ ，若電晶體之切入電壓 $\mathrm{V_{BE}} = 0.7\mathrm{V}$ ，熱電壓 $\mathrm{V_T} = 25\mathrm{mV}$ ， $\beta = 99$ ，則輸入阻抗 $\mathrm{Z_i}$ 約為何？ (A) $2 \mathrm{k} \Omega$ (B) $3.3\mathrm{k}\Omega$ (C) $4.7\mathrm{k}\Omega$ (D) $5\mathrm{k}\Omega$

44. 如右圖所示之MOSFET電路，其臨界電壓 $\mathrm{V_T} = 1.8\mathrm{V}$，參數 $\mathrm{K} = 1.2\mathrm{mA / V^2}$，已選擇適當之 $\mathrm{R_D}$ 使電路操作於飽和區且 $\mathrm{I_D} = 1.08\mathrm{mA}$，則 $\mathrm{R_{G1}}$ 應調整為何？ (A) $150\mathrm{k}\Omega$ (B) $180\mathrm{k}\Omega$ (C) $210\mathrm{k}\Omega$ (D) $250\mathrm{k}\Omega$

45. 如右圖所示之電路，運算放大器之輸出飽和電壓為 $\pm 15\mathrm{V}$， $\mathrm{R}_1 = 10\mathrm{k}\Omega$ ，欲使電路產生振盪，則 $\mathrm{R}_2$ 之最小值及遲滯電壓(Hysteresis Voltage) $\mathrm{V_H}$ 分別為何？ (A) $\mathrm{R}_2 = 15\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 10\mathrm{V}$ (B) $\mathrm{R}_2 = 15\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 15\mathrm{V}$ (C) $\mathrm{R}_2 = 20\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 10\mathrm{V}$ (D) $\mathrm{R}_2 = 20\mathrm{k}\Omega$ 、 $\mathrm{V_H} = 15\mathrm{V}$

46. 如右圖所示之振盪電路， $\mathrm{V_o}$ 之振盪頻率為 $10\mathrm{kHz}$，回授因數 $\beta = -\frac{1}{29}$，則 $\mathrm{R_f}$ 之最小值約為何？ (A) $10\mathrm{k}\Omega$ (B) $87\mathrm{k}\Omega$ (C) $92\mathrm{k}\Omega$ (D) $100\mathrm{k}\Omega$

47. 有關電晶體(BJT)和場效電晶體(FET)的比較，下列敘述何者有誤？(A) BJT是單載子元件，而FET是雙載子元件(B) 在積體電路製作上，BJT比FET佔較大的空間(C) BJT是用電流控制，而FET是用電壓控制(D) FET做為放大器產生的雜訊較BJT為低