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【段考】高一數學下學期
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96年 - 師大附中 高一(下學期) →期末考數學#49720
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A(0), B(2), C(0), D(0), E(2) #1263028
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#1263030
1 有關 DRAM 記憶體對資料的儲存方式之敘述,下列何者正確? (A) 利用電晶體內的寄生電容儲存資料 (B)利用電晶體控制一個電容元件儲存資料 (C) 利用電晶體內寄生的閂瑣現象(Latch-Up)儲存資料 (D)利用電晶體控制一個閂瑣電路(Latch)儲存資料
#1263031
2 下圖所示之電流源(current source)電路,若是已知電晶體 Q2 係操作於飽和區(saturation region),且 電晶體 Q2 之閘極的寬長比(W/L)2為電晶體 Q1 之閘極的寛長比(W/L)1 的 2 倍,則此電流源的輸出電流,Io,為何? (A) Io=IREF (B) Io=2IREF (C) Io=4IREF(D) Io=0
#1263032
3 圖示電路之交流負載線(ac load line)之方程式為:(A)(iC-ICQ) (RC+RE)+(vCE-VCEQ)=0 (B)(iC-ICQ) (RC // RL)+(vCE-VCEQ)=0 (C)(iC-ICQ) [(RC // RL)+RE]+(vCE-VCEQ)=0 (D)(iC-ICQ) RC+(vCE-VCEQ)=0
#1263033
4 下列關於二極體的敘述,何者正確? (A)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而增加 (B)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而減少 (C)二極體的逆向電阻隨逆向電流增加而增加 (D)二極體的順向電阻與逆向電阻均為固定值
#1263034