複選題
27. 下列哪些選項符合碳化矽二極體(SiCdiode)的結構與特性？
(A)反向恢復時間(backward recovery time)極短
(B)切換速度快
(C)溫度升高時，反向恢復時間增加很少
(D)逆向崩潰電壓低。

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