複選題
28. 下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體(GaN FET)的結構與特性？
(A)低導通電阻
(B)閘極儲存電荷低
(C)切換頻率可達 10MHz 以上
(D)與矽 MOSFET 相較，其閘極漏電流較小 。

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