複選題
71. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)，下列敘述何者正確？
(A)閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
(B)增強型 P 通道與空乏型 N 通道特性完全相同
(C)與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
(D) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大。

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統計： A(1), B(0), C(1), D(1), E(0) #2142561

詳解 (共 1 筆)

#4829551

金氧半場效應電晶體(MOSFET)

(A)閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
(C)與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
(D) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大

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