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試題詳解

試卷：104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#36416 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#36416

年份：104年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

1對於 CMOS（Complementary MOS，又稱互補 MOS）反相器電路，V   DD      爲汲極偏壓，下列敘述何者正確？
(A)直流功率耗損較交流功率耗損大
(B) 交流功率耗損大並與 VDD 成正比
(C)交流功率耗損大並與 VDD 平方成正比
(D) 交流功率耗損大並與VDD無關
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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#6525921
未解鎖
初等/五等/佐級◆電子學大意  -10...
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