104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#36416

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：104年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1對於 CMOS（Complementary MOS，又稱互補 MOS）反相器電路，V _DD 爲汲極偏壓，下列敘述何者正確？ (A)直流功率耗損較交流功率耗損大 (B) 交流功率耗損大並與 V_DD 成正比 (C)交流功率耗損大並與 V_DD平方成正比 (D) 交流功率耗損大並與V_DD無關

2CMOS 可作爲反相器，其主要特性爲： (A)消耗功率小 (B)只包含一種導電型態的MOSFET (C)輸出由電晶體的源極端接出 (D)雜訊免除性最快

3一般金氧半場效電晶體（MOSFET）是以何種效應控制汲、源極間之電流？ (A)光電 (B)電場 (C)崩潰 (D)磁場

4當 BJT 電晶體應用於小訊號放大，此時電晶體應工作於何區域？ (A)截止區 (B)主動區 (C)飽和區 (D)崩潰區

5在 P 型半導體中的主要載子是： (A)電洞 (B)電子 (C)質子 (D)離子

6擴散電容（Diffusion Capacitance）主要存在於當 pn 接面： (A)逆偏 (B)順偏 (C)開路 (D)短路

7轉阻放大器之輸入與輸出阻抗特性之敘述，下列何者錯誤？輸入應爲低阻抗 (A)輸入應爲低阻抗 (B)輸出應爲高阻抗 (C)輸入阻抗與電流放大器之輸入特性相似 (D)輸出阻抗與共汲極放大器之輸出特性相似

8圖示爲理想運算放大器之電路，R₁ = 1 kΩ、R₂ = 20 kΩ、R_L = 10 kΩ，則其電壓增益 AV =VO/VI？ (A) -20 (B) -2 (C) 10 (D) 21

9圖示爲理想運算放大器之電路，R₁ = 1 kΩ、R₂ = 25 kΩ、R_L = 10 kΩ，則其輸入阻抗 R_i 爲若干 Ω？ (A)1 k (B)10 k (C)25 k (D)∞

10下圖爲一個使用 CMOS 傳輸閘組成之邏輯電路，請問輸出 Y 爲何？

11如圖所示之整流電路，Ｕ1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓為 0.7 V，電阻 R₁=1 kΩ、R₂=2 kΩ。當 v1=5 V 時，對於二極體 D₁、D₂的導通情形，下列敘述何者正確？ (A)D₁ 導通、D₂ 不導通 (B)D₁、D₂ 都導通 (C)D₁、D₂ 都不導通 (D)D₁ 不導通、D₂ 導通

12 關於 P-N 接面二極體之小訊號導通電阻之敘述，下列何者錯誤？ (A)導通電流越大電阻越小 (B)若接面濃度固定，P-N 接面面積越大電阻越小 (C)若電流固定，溫度越高電阻越大 (D)導通電阻與逆向飽和電流成正比

13如圖所示之電路，二極體為理想。va = 100sinωt V，v_b = 100sin(ωt-180°) V，求其平均輸出電壓 V_o 爲何？

(A)22.51 V (B)47.74 V (C)63.66 V (D)367.46 V

14圖中理想二極體電路輸入正弦波訊號 vi 的峰值為Ｖ_m，請問在幾週期後輸出電壓 vo 的峰值可達 2Ｖ_m？（假設初始狀態各電容電壓降均為零） (A)四分之一週期 (B)二分之一週期 (C)四分之三週期 (D)一週期

15下圖電路是何種電路？ (A)積分器 (B)峰值檢波器 (C)對數放大器 (D)指數放大器

16分析下列之電路，若 D1 與 D2 之面積皆相同，若 vi 與 vo 為交流小訊號，C1 與 C2 之電容值為無限大，則 vo / vi =？

(A)1/10 (B)1/5 (C)5 (D)10

17如圖所示之電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 11 V，頻率為 60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？ (A)0.25 V (B)2.25 V (C)4.25 V (D)6.25 V

18雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸入阻抗最大？ (A)共基極組態 (B)共射極組態 (C)共集極組態 (D)基-射極組態

19如圖為一共源（CS）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 g_m，輸出電阻為 r_o，則此放大器的電壓增益為何？ (A)-gmR_D (B)-gm(R_D // r_o) (C)-r_o / R_D (D)-R_D / ro

20關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者正確？ (A)爾利效應（Early Effect）爲基極有效寬度調變所造成 (B)爾利效應（Early Effect）越大，則相同之集極電流條件下，輸出阻抗越小 (C)PNP 電晶體工作於主動區（Forward Active Region）時，射極電壓較集極電壓爲低 (D)NPN 電晶體工作於主動區（Forward Active Region）時，流入基極之電流主要爲電子載子電流

21如圖為一共汲（CD）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導參數為 g_m，輸出電阻為r_o→∞，則此放大器的輸出電阻 R_o為何？

(A)Rs (B)R_s/(1+g_mR_s) (C) 0 (D)∞

22下圖電路爲一個音頻放大器，若欲設計此電路，使得其低 3 分貝頻率（Lower 3 dB Frequency）爲15 Hz，則電路中 C₁應使用多大之電容？

(A)0.22 µ F (B)0.47 µ F (C)0.59 µ F (D)0.75 µ F

23如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區，λ= 0，I_D = 1 mA， C_GS = 50 fF，C_GD= 10 fF，C_DB= 50 fF，採用米勒（Miller）趨近法，求位於 G 端之極點頻率爲何？ (A)1.97 GHz (B)2.97 GHz (C)3.97 GHz (D)4.97 GHz

24如圖所示 MOSFET 電路，電晶體 M 是增強型（enhancement type）n 通道 MOSFET。已知 V_DD = 3 V、 |V_tn|= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / V²、I_D = 0.08 mA、忽略輸出電阻 r_o，則此電晶體工作的區域為： (A)崩潰區(breakdown region） (B)三極區(triode region） (C)截止區(cut-off region） (D)飽和區(saturation region）

25圖示電路，若 V_CC = +12 V，且電晶體之 β >>1，欲電晶體在主動區（Active Region）工作，則電壓V_B 之最大値約爲若干伏特？

(A)1 (B)2 (C)3 (D)4

26 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（ Early）與所有其他電容效應，假使此電路之轉折（corner）頻率爲 130 Hz，β = 100，求此電路中電晶體之轉導（transconductance）約爲何？ (A)60 mA/V (B)70 mA/V (C)80 mA/V (D)90 mA/V

27圖示電路主要作用爲：

(A)電壓緩衝器（Voltage Buffer） (B)電壓放大 (C)箝位 (Clamping) (D)濾波器

28圖示電路，若電晶體的 µnCox(W/L) = 100 mA/V²、輸出阻抗 r_o = 10 kΩ，R_D = 10 kΩ，I = 0.125 mA，則電壓增益 A_v 爲若干？ (A)5 (B)10 (C)25 (D)50

29一個 MOS 疊接放大器（Cascode Amplifier）是由下列那一種組合所構成？ (A)CS-CG (B)CG-CD (C)CS-CD (D)CD-CG-CS

30下列關於 Chebyshev 低通濾波器的描述，何者錯誤？ (A)爲一全極點濾波器 (B)帶通中最大值與最小值的總數小於其階數 (C)所有傳輸零點頻率全部都在無限大 (D)在相同參數下，Chebyshev 濾波器具有較Butterworth 濾波器大的止帶衰減量

31量測一內部補償的運算放大器，其直流增益為 7×10⁴，增益下降 20 dB 的頻率為 1 kHz，求其 3 dB 頻率的近似值為何？ (A)10 Hz (B)100 Hz (C)1 kHz (D)10 kHz

32有一差動放大器，共模互斥比 CMRR = 1000，差模增益 A_d = 200，若兩輸入端訊號電壓分別爲 100 μV及 50 μV，則輸出電壓 Vo 約爲多少？ (A)6 mV (B)8 mV (C)10 mV (D)12 mV

33一個兩級串接理想放大器電路，若電壓增益依序爲 20 及 25，電流增益依序爲 10 及 100，則下列敘述何者錯誤？（log₁₀ 2

0.301） (A)總電壓增益値爲500 (B)總電壓增益分貝値約爲54 dB (C)總功率增益値爲500000 (D)總功率增益分貝値約爲114 dB

34分析下列之電路，若 MOSFET 操作在飽和區且轉導值 gm 為 1 mA/V；BJT 操作在順向主動區（forwardactive region）且轉導值 g_m 為 10 mA/V，β = 100。忽略元件之輸出阻抗 ro，試求 |Vo /Vi| =？ (A)10 (B)50 (C)100 (D)1000

35某可串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別爲 A_V1 = 100 和 A_V2 = 10000，試求總電壓增益爲多少 dB？ (A)60 dB (B)120 dB (C)10100 dB (D)1000000 dB

36圖示 CMOS 運算放大器電路，其中電容 CC 主要作用為何？ (A)濾波(Filter） (B)頻率補償(Frequency Compensation） (C)耦合(Coupling） (D)旁路(Bypass）

37如圖所示電路，其中 R₁C₁ < R₂C₂，下列何者是 Av = Vo/Vi 的頻率響應圖？

38如圖之差動對電路，電晶體之 β = 100，r_o→∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，V_CC = -V_EE= 10 V，取 V_BE(on) = 0.7 V，V_CE(sat) = 0.3 V，V_T = 25 mV，當 v_B1 = v_B2 = 0 時，v_C1(v_C2)之值約為何？ (A)0 (B)2 (C)6 (D)10

39圖示電路，Q1 與 Q2 具相同特性，若 R_D= 4 kΩ，V_DD = 10 V，I = 2 mA，則電壓 V_o應爲若干伏特？ (A)2 (B)5 (C)6 (D)10

40如圖所示之理想運算放大器電路，下列敘述何者正確？

(A)vo 之波形爲方波 (B)vo 之波形爲三角波 (C)vo 之波形爲正弦波 (D)vo 之波形爲直流

申論題 (0)