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初等/五等/佐級◆電子學大意
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95年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#20380
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試題詳解
試卷:
95年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#20380 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
95年 - 95 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#20380
年份:
95年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
1 有關 DRAM 記憶體對資料的儲存方式之敘述,下列何者正確?
(A)利用電晶體內的寄生電容儲存資料
(B)利用電晶體控制一個電容元件儲存資料
(C)利用電晶體內寄生的閂瑣現象(Latch-Up)儲存資料
(D)利用電晶體控制一個閂瑣電路(Latch)儲存資料
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
yo
B1 · 2019/06/05
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未解鎖
DRAM 一個cell = 電晶體+電容
(共 22 字,隱藏中)
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