阿摩線上測驗
登入
首頁
>
台電◆電子學
>
107年 - 107-12 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#73748
> 試題詳解
試題詳解
試卷:
107年 - 107-12 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#73748 |
科目:
台電◆電子學
試卷資訊
試卷名稱:
107年 - 107-12 台灣電力公司_新進僱用人員甄試:電子學#73748
年份:
107年
科目:
台電◆電子學
1. 有關半導體特性的敘述,下列何者正確?
(A)當加逆向偏壓於PN接面時,空乏區會變窄
(B)在本質半導體摻雜五價元素,可形成N型半導體
(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體
(D) N型半導體中的多數載子為電洞
正確答案:
登入後查看
詳解 (共 2 筆)
蘇su
B2 · 2019/01/29
推薦的詳解#3183304
未解鎖
(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N...
(共 230 字,隱藏中)
前往觀看
10
0
蘇su
B1 · 2019/01/29
推薦的詳解#3183296
未解鎖
(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N...
(共 223 字,隱藏中)
前往觀看
6
0
私人筆記 (共 1 筆)
有緣人
2020/11/23
私人筆記#2655589
未解鎖
5A族->n型3A族->P型...
(共 26 字,隱藏中)
前往觀看
2
0