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初等/五等/佐級◆電子學大意
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93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254
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試題詳解
試卷:
93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254
年份:
93年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
10 場效電晶體(FET)之門檻(threshold)電壓 Vth之敘述何者正確?
(A)加強型(enhancement)NMOS Vth<0
(B)乏型(depletion)NMOS Vth>0
(C)加強型(enhancement)PMOS Vth>0
(D)加強型(enhancement)PMOS Vth<0
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
黑貓氏
B1 · 2020/03/13
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未解鎖
加強型(enhancement)PMOS...
(共 35 字,隱藏中)
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