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93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#18254

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：93年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 當運算放大器作比較器時的敘述何者正確？ (A)有虛地（Virtual Ground）效應 (B)操作在飽和區 (C)操作在線性區 (D)輸出阻抗＝∞
2 下圖電路輸出何者正確？
3 關於雙極性接面電晶體（BJT）截止（Cutoff）時的敘述何者正確？ (A)射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓 (B)射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為反向偏壓 (C)射極基極介面（EBJ）為反向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓 (D)射極基極介面（EBJ）為反向偏壓，集極基極介面（CBJ）為反向偏壓
4 雙極性接面電晶體（BJT）截面圖如下圖，下列敘述何者正確？ (A)X 為射極（E），Y 為基極（B），Z 為集極（C） (B)X 為射極（E），Z 為基極（B），Y 為集極（C） (C)Z 為射極（E），Y 為基極（B），X 為集極（C） (D)Y 為射極（E），X 為基極（B），Z 為集極（C）
5 若 A、B 為常數，關於濾波器轉移函數 T(S)＝A/(S+B)的敘述下列何者正確？ (A)高通（High pass） (B)低通（Low Pass） (C)帶通（Band Pass） (D)全通（All Pass）
6 右圖的等效電路為何？ (A)電容 (B)電感 (C)電阻 (D)二極體
7 右圖為何種電路？ (A)共射極電路 (B)共基極電路 (C)共集極電路 (D)振盪路 
8 下列何者在直流分析時為斷路？ (A)電阻(B)電感(C)電容(D)二極體
9 若忽略二極體壓降，且 VB＞0，下圖之輸入輸出（Vi-Vo）關係為何？ (A)Vo＝極大值（Vi－VB, 0） (B)Vo＝極大值（Vi＋VB, 0） (C)Vo＝極小值（Vi－VB, 0） (D)Vo＝極小值（Vi＋VB, 0）
10 場效電晶體（FET）之門檻（threshold）電壓 Vth之敘述何者正確？ (A)加強型（enhancement）NMOS Vth＜0 (B)乏型（depletion）NMOS Vth＞0 (C)加強型（enhancement）PMOS Vth＞0 (D)加強型（enhancement）PMOS Vth＜0
11 關於共基極（CB）放大器的敘述何者正確？ (A)電壓增益≈ 1 (B)電壓增益＜1 (C)電流增益≈ 1 (D)電流增益＞1
12 關於 TO3 功率電晶體（Power Transistor）的敘述何者正確？ (A)不需金屬包裝（Package）散熱 (B)射極連接外殼包裝 (C)基極連接外殼包裝 (D)集極連接外殼包裝
13 積體電路工廠 90 奈米（nm）製程是指多少米的製程？ (A)9.0×10-6(B)9.0×10-7(C)9.0×10-8(D)9.0×10-9
14 關於 741 運算放大器（Op Amp）的敘述何者正確？ (A)輸出級有保護電路 (B)3dB 頻率≈ 數百 Hz (C)電壓增益≈ 1 (D)有回饋（feedback）電容跨接輸入級兩端
15 下圖為何種電晶體？ (A)PMOS 場效電晶體 (B)NMOS 場效電晶體 (C)NPN 雙極性接面電晶體（BJT） (D)PNP 雙極性接面電晶體（BJT）
16 關於下圖跟隨速率（Slew rate）的敘述，下列何者正確？ (A)跟隨速率＝最小值（輸入電壓，輸出電壓） (B)跟隨速率＝0 (C)跟隨速率＝斜率 S (D)跟隨速率＝∞
17 下列關於史密特觸發器（Schmitt trigger）輸入輸出關係的敘述何者正確？ (A)有身體效應（Body Effect） (B)有米勒效應（Miller Effect） (C)符合巴克豪森準則（Barkhausen Criterion） (D)有磁滯效應（Hysteresis Effect）
18 下列關於交換式電容（Switched-Capacitor）濾波器的敘述何者正確？ (A)等效電阻和時脈頻率成正比 (B)等效電阻和電容成正比 (C)等效電阻和電容成反比 (D)等效電阻和電容成無關 
19 下式為韋恩（Wien）振盪器之轉移（transfer）方程式，則下列敘述何者正確？
20 關於共源極（Common-Source）NMOS 場效電晶體的簡化小信號等效電路為何？ (A)電壓控制之電流源(B)電流控制之電壓源(C)電壓控制之電壓源(D)電流控制之電流源
21 下圖輸入偏壓電流補償電路之關係為何？ (A)R1＝R2＋R3(B)R3＝R1＋R2(C)R3＝R1||R2(D)R2＝R1||R3
22 傳統 CMOS 反及（NAND）閘的連接方式為何？ (A)NMOS 串聯，PMOS 並聯 (B)NMOS 並聯，PMOS 串聯 (C)NMOS 串聯，PMOS 串聯 (D)NMOS 並聯，PMOS 並聯
23 傳統 CMOS 的功率消耗（Power dissipation）敘述何者正確？ (A)靜態功率消耗很大 (B)靜態功率消耗≈ 0 (C)動態功率消耗≈ 0 (D)動態功率消耗和頻率成反比
24 若 NMOS 及 PMOS 之門檻（threshold）電壓分別為 VTN及 VTP，CMOS 傳輸（Transmission）閘傳遞邏輯-0 及邏輯-1 之電壓值為何？ (A)邏輯-0＝VDD，邏輯-1=0 (B)邏輯-0＝VTN，邏輯-1=VDD (C)邏輯-0＝0，邏輯-1=VDD (D)邏輯-0＝VTN，邏輯-1=VDD－｜VTP｜
25 加強型（Enhancement）NMOS 及加強型 PMOS 之門檻（threshold）電壓分別為 VTN及 VTP，下列敘述何者 正確？ (A)VTN＞0 及 VTP＞0 (B)VTN＞0 及 VTP＜0 (C)VTN＜0 及 VTP＞0 (D)VTN＜0 及 VTP＜0
26 二級之積體電路運算放大器，其頻率補償電路跨接何級？ (A)輸出級(B)輸入級(C)偏壓級(D)短路保護電路
27 下圖為用於變換電容（Switched Capacitor）濾波器之電路，時脈 1 和時脈 2 關係為何？ (A)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、可重疊 (B)時脈 1 和時脈 2 頻率相同、不可重疊 (C)時脈 1 和時脈 2 無關 (D)時脈 1 和時脈 2 頻率不相同
28 有關放大器輸出穩定時，極點和 S 平面的關係何者正確？ (A)極點落在 S 平面第二、三象限（左半面） (B)極點落在 S 平面第一、四象限（右半面） (C)極點落在 S 平面 jω 軸上 (D)極點落在 S 平面σ 軸上
29 若 NMOS 場效電晶體（FET）之汲極源極電壓 VDS＞閘極源極電壓 VGS＞門檻（threshold）電壓 Vth，下列何 者正確？ (A)電晶體操作在非飽和區(B)電晶體操作在飽和區 (C)電晶體截止(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處 
30 關於場效電晶體（FET）之閘極電容的敘述，下列何者正確？ (A)與場效電晶體（FET）閘極之通道長度成反比 (B)與場效電晶體（FET）閘極之通道寬度成反比 (C)與場效電晶體（FET）閘極之通道面積成反比 (D)與場效電晶體（FET）閘極之通道面積成正比
31 將一電容值為 C 的電容跨接於增益為 A 的放大器輸出端及輸入端，其等效輸入米勒（Miller）電容值為何？ （A, C＞0） (A)C（1＋A） (B)C（1－A） (C)C（1 +1/A） (D)C（1－1/A）
32 下列場效電晶體（FET）之反向器（Inverter）的負載，何者有最大汲極（Drain）平均電流？ (A)電阻 (B)加強型（Enhancement）PMOS (C)乏型（Depletion）NMOS (D)加強型 NMOS
33 加強型（Enhancement）NMOS 之門檻（threshold）電壓為 VTN，則加強型 NMOS 負載的場效電晶體（FET） 反向器（Inverter）之正常輸出電壓為下列何者？ (A)VDD(B)VDD－VTN(C)0(D)VTN
34 右圖之敘述何者正確？ (A)布林函數 F＝AB＋C (B)布林函數 F＝(A＋B)C (C)F 正常最大輸出電壓為 VDD (D)F 正常最大輸出電壓為(VDD－VTN)
35 頻率在零（Zero）點時，轉移函數（Transfer Function）的數值為何？ (A)0(B)1(C)轉移函數最大值(D)無限大
36 場效電晶體（FET）閘極之通道長度為 L 和閘極之通道寬度為 W，若兩顆相同的場效電晶體（FET）串連， 則等效通道長度寬度比（L/W）為何？ (A)0.5(B)1(C)2(D)0
37 右圖電路之輸出邏輯函數 F 為何？
38 右圖電路為何種電路？ (A)TTL 或閘（OR） (B)TTL 反或閘（NOR） (C)ECL 或閘（OR） (D)ECL 反或閘（NOR）
39 右圖電路何者敘述正確？ (A)NMOS 動態隨機存取記憶體細胞 (B)NMOS 靜態隨機存取記憶體細胞 (C)CMOS 動態隨機存取記憶體細胞 (D)CMOS 靜態隨機存取記憶體細胞
40 下列 TTL 敘述何者最正確？ (A)速度比 ECL 快 (B)速度比 CMOS 及 ECL 慢 (C)速度比 CMOS 快 (D)速度比 CMOS 及 ECL 快

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