12. 下列哪一原因是造成金氧半場效電晶體 ( MOSFET )操作在飽和區時，汲極電流會隨著 VDS增加而增加？
(A) 通道長度調變
(B) 基板效應
(C) 穿隧效應
(D) 虛短路

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