12. 同一額定之 IGBT 與 Darlington's Power Transistor 比較，兩者關於 RBSOA 之描述何者正確？
(A)RB SOA 為功率電晶體於 turn on 之安全工作範圍
(B)IGBT 之 RBSOA 通常小於 Darlington's Power Tran sistor
(C)RBSOA 愈大，愈可有效之保護
(D)RBSOA 範圍愈小愈好。

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統計： A(0), B(0), C(1), D(0), E(0) #2395450

詳解 (共 1 筆)

#4829054

安全工作區（英語：Safe operating area, SOA），是指功率半導體器件（例如雙極性電晶體、場效電晶體、閘流體以及絕緣閘雙極電晶體）能夠按照預期正常工作而不會造成損壞時的電壓電流等條件的範圍。

在半導體器件產品的手冊或datasheet裡，安全工作區通常以圖像的形式標明，以電晶體為例，安全工作區標示圖的橫座標是 VCE（集極-射極電壓）、縱座標是 ICE（集極-射極電流），而安全工作區的範圍即為圖中曲線與座標軸所包圍的區域。這一邊界曲線中結合了器件的以下各項工作限制：最大電壓、最大電流、與最大耗散電功率，而這些限制中也包含了對接面的溫度、內部熱阻、晶粒焊線的載流能力和二次崩潰這幾項因素的考慮。

除了可依照連續工作條件畫出安全區域之外，也可以另針對脈波（例如：1mS 或 10mS）的瞬間工作條件作出脈波下的安全工作區域。(WIKI)



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