13. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者有誤？(6099fa6ca24ae.jpg為閘極至源極之電壓)
(A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在
(B)空乏型N通道MOSFET其6099fa761b02f.jpg可接負電壓或正電壓
(C)增強型P通道MOSFET其6099fa8008ed9.jpg若接正電壓，則無法建立通道
(D)增強型N通道MOSFET臨界電壓6099fada0a304.jpg之值為正

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統計： A(144), B(11), C(14), D(8), E(0) #2703808

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#4968991
空乏型MOSFET有內建通道
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#5182642

MOSFET

空乏型N通道MOSFET其 6099fa761b02f.jpg#s-41,29可接負電壓或正電壓
增強型P通道MOSFET其 6099fa8008ed9.jpg#s-41,29若接正電壓，則無法建立通道
增強型N通道MOSFET臨界電壓 6099fada0a304.jpg#s-33,27之值為正 

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私人筆記 (共 1 筆)

私人筆記#7517154
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? MOSFET 結構與通道形成差異 ...
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