17 如圖之MOS差動放大器(differential amplifier),Q
1=Q
2,其臨界電壓(threshold voltage)V
t=0.5 V,爾利電壓(Early voltage)V
A→∞。當V
G1=V
G2=0 時,若電晶體工作於飽和模式(saturation mode),其汲 極電流ID與閘源電壓V
GS的關係為I
D=2(V
GS-V
t)
2 (mA)。 則當V
G1=V
G2=0 時,R
D之最大值可為多大,而仍可維持電晶體工作於飽和模式?
(A)3 kΩ
(B)4 kΩ
(C)5 kΩ
(D)6 kΩ