18. 有一增強P通道MOSFET,已知臨界電壓VT= -2.5,若汲極電壓VD= 4 V,源極電壓VS= 8 V, 直流閘極電壓VG= 3 V,試問其MOSFET應處於何種工作區?
(A)飽和區
(B)歐姆區
(C)截止區
(D)逆向工作區

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統計: A(71), B(23), C(22), D(5), E(0) #2917090

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#5458059
P-EMOS 飽和區條件: 1、VGS&...
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私人筆記#7609139
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