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103年 - 103 中華電信股份有限公司_從業人員(基層專員)遴選_工務類專業職(四)第一類專員:(1)通信系統 (2)電子學#89270
> 試題詳解
2.下列功率數值中,何者最大?
(A) 30 dBm
(B) 3 dBW
(C) 100 mW
(D) 1 W
答案:
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統計:
A(18), B(64), C(5), D(20), E(0) #2410199
詳解 (共 1 筆)
leo MH
B1 · 2022/06/27
#5529286
(A)30dBm=1W(B)3dBW=2...
(共 46 字,隱藏中)
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43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器,下列敘述何者錯誤? (A)輸入電阻小、輸出電阻大 (B)又稱為射極隨耦器(emitter follower) (C)適合作為緩衝器(buffer)以提供阻抗匹配(impedance matching) (D)功率增益約等於電流增益
#2410240
44.如【圖 44】所示以 CC 放大器為主的達林頓對(Darlington pair)放大器,則等效的共射極電流增益β為何? (A) 50 (B) 150 (C) 5000 (D) 2
#2410241
45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述,下列何者錯誤? (A)只含一個 pn 接面,是一種單極性元件(unipolar device) (B)控制 pn 接面兩端的偏壓可改變 JFET 的等效電阻 (C)汲極(drain)與源極(source)之間的通道(channel)是主電流流經的路徑 (D)閘極(gate)的半導體材料與通道相同
#2410242
46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且 VGS為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的 ID? (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V
#2410243
47.如【圖 47】所示的 JFET 電路,IDSS = 12 mA 且 VP = −3 V,請問下列 RD值何者可以使該 JFET 操作於夾止區? (A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.3 kΩ (D) 1.5 kΩ
#2410244
48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述,下列何者錯誤? (A)閘極與半導體通道之間是絕緣的 (B)輸入阻抗非常低 (C)汲極與源極各自連接較高摻雜濃度的半導體材料 (D)空乏型(depletion type) MOSFET 的操作與 JFET 類似
#2410245
49.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時,ID值為何? (A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA
#2410246
50.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VDS = 4 V 時,則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何? (A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D) 16 : 1
#2410247
51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V,且在 VGS = 4 V 時的飽和 汲極電流為 9 mA,則 VGS = 3 V 時的 ID為何? (A) 0 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA
#2410248
52.如【圖 52】所示電路,下列敘述何者錯誤? (A)此 NMOSFET 永遠操作於三極區 (B)當 V 小於 VT時,此電路視同開路 (C)此電路經常取代電阻作為負載使用 (D)其小信號等效電阻與直流偏壓電流的平方根成反比
#2410249
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