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初等/五等/佐級◆電子學大意
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104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#36416
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試題詳解
試卷:
104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#36416 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#36416
年份:
104年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
24如圖所示 MOSFET 電路,電晶體 M 是增強型(enhancement type)n 通道 MOSFET。已知 V
DD
= 3 V、 |V
tn
|= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / V
2
、I
D
= 0.08 mA、忽略輸出電阻 r
o
,則此電晶體 工作的區域為:
(A)崩潰區(breakdown region)
(B)三極區(triode region)
(C)截止區(cut-off region)
(D)飽和區(saturation region)
正確答案:
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unktehila56
B1 · 2019/11/12
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Alice
2025/12/02
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