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試題詳解

試卷:104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#36416 | 科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱:104年 - 104 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#36416

年份:104年

科目:初等/五等/佐級◆電子學大意

24如圖所示 MOSFET 電路,電晶體 M 是增強型(enhancement type)n 通道 MOSFET。已知 VDD = 3 V、 |Vtn|= 0.6 V、k'n(W/L) = 1.0 mA / V2、ID = 0.08 mA、忽略輸出電阻 ro,則此電晶體 工作的區域為:
(A)崩潰區(breakdown region)
(B)三極區(triode region)
(C)截止區(cut-off region)
(D)飽和區(saturation region)
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