試題詳解

試卷：96年 - 96 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_核工、保健物理：普通物理#110751 | 科目：國營事業◆1.普通物理 2.核電廠概論

試卷名稱：96年 - 96 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_核工、保健物理：普通物理#110751

年份：96年

科目：國營事業◆1.普通物理 2.核電廠概論

27.有關半導體矽(Si)的特性有
(A)其能隙大約1伏特
(B)溫度低時導電率高
(C)其能隙比鍺(Ge)者大一些
(D)愈純之矽,發光愈強

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