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試題詳解

試卷：93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#18254 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#18254

年份：93年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

29 若 NMOS 場效電晶體（FET）之汲極源極電壓 VDS＞閘極源極電壓 VGS＞門檻（threshold）電壓 Vth，下列何 者正確？
(A)電晶體操作在非飽和區
(B)電晶體操作在飽和區
(C)電晶體截止
(D)電晶體操作在飽和區和非飽和區交界處 
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