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試卷名稱：105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(甲)、儀電：1.電路學 2.電子學#60392
年份：105年
科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學
32. 如右圖之電路，假設MOSFET Q1、Q2、Q3 之工 VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect)， gm1= 0.5mA⁄V，Q3 與 Q2 的通道寬度比W 3⁄W2=1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi 等於多 少？
(A) 70
(B) 80
(C) 90
(D) 100
