105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(甲)、儀電：1.電路學 2.電子學#60392

1. 電流 ，如改用相量表示為何？ (A) 11.2∠-  26.6° A (B) 11.2∠ -53.2° A (C) 22.4∠-   26.6° A (D) 22.4∠-   53.2° A

3. 有一電壓源串聯1 Ω電 阻，則1 Ω電阻所吸收之平均功率為何？ (A) 5300 W (B) 8050 W (C) 10300 W (D) 10525 W

4. 有一RLC 並聯電路，其自然響應，A 為常數，α >0，ω≠ 0。有關V (t) 敘 述，下列何者有誤？ (A)電壓會在正值、負值間交替 (B)電壓振盪的幅度呈指數衰減 (C) α值會影響電壓衰減的速度 (D)此為臨界阻尼響應

7. 有一電壓，連接阻抗，則其複數功率大小為何？ (A)(B) (C) (D)

9. 有一元件之電壓及電流分別為，則電壓和 電流之相位關係為何？ (A)電壓領先電流10° (B)電流領先電壓10° (C)電壓領先電流100° (D)電流領先電壓100°

11. 有一電阻R 2 Ω，將其通過之電流時，電阻消耗之功率為何？ (A) 8 W (B) 16 W (C) 24 W (D) 32 W

14. 有一電源所提供之電壓及電流分別為，則電源 所提供之平均功率為何？ (A) 200 W (B) 400 W (C) 200 W (D) 400W

15. 有一電感L =100 mH，當t 0，其兩端電壓為0 V。當t>   0，其兩端電壓。假 設時，。求t=   0.2 s時，i_L 值 ？ (A) 1.05 A (B) 1.19 A (C) 2.11 A (D) 2.37 A

17. 如右圖之電路，t=   0 s時，S₁ 閉合，t=   5 s時，S₂ 閉合。當時，求電路之i (t)=   ？ (A) (B) (C) (D)

18. 如右圖之電路，t<   0時已達穩態。當t=   0 s時， t=0 瞬間將開關斷路，則t=   48 s時，求V₁=  ？ (A) (B)(C) (D)

19. 如右圖之電路，t<   0時已達穩態。當t =0 s時， Ω 瞬間將開關斷路，則t>   0時，V C(t)   ？ (A) (B) (C) (D)

20. 如右圖之電路，電感在t =0 s時， 求t>   0時，i _L(t)   ？ (A)(B) (C) (D)

21. 如右圖之電路，t =0 s時，開關瞬間閉合。 20Ω 則t =1 ms時，電壓V_L  ？ (A) (B) (C) (D)

22. 如右圖之電路，t=   0 s時，開關瞬間閉合。 t = 0 求t >0時，V_C( t)   ？ (A) (B)(C)(D)

23. 如右圖之電路，從VOC兩端點看入之 3V 戴維寧等效阻抗為何？ (A) (B) (C)(D)

24. 求右圖電路之i x=？  (A) (B) (C) (D)

25. 右圖電路之，求a+b+c=？  (A) 1 (B) 2 (C) 4 1 (D) 8

26. 如右圖之電路，在下列哪種條件下，其電壓增益值V ⁄V 與 C1 C2 頻率無關？(OP：理想運算放大器) VI (A) R₁C₂ = R₂C₁  (B) R₁R₂ = C₁C₂ (C) C₁ = C₂ (D) R₁C₁ = R₂C₂

27. 如右圖之電路，流經R_f的電流值If為多少？ (OP：理想運算放大器；D ₁為二極體，其導通電 壓 = 0.7 V；V_Z：稽納二極體的逆向崩潰電壓) (A)(B)(C)(D)

 28. 如右圖之電路，要確保此電路可以開始振盪，其條件 R2 為何？(OP：理想運算放大器)  (A) (B)(C) (D)

29. 轉導放大器(Transconductance Amplifier)的理想特性為何？( R_i：輸入阻抗；R_o：輸出阻抗) (A) (B)(C) (D)

30. 一理想矽質 PN 介面的二極體，在T =300 K時 (V_T=    26 mV) ，其逆向偏壓的飽和電流為，請問在順向偏壓+0.65 V 時的電流值為多少？ (A) 1.44 mA (B) 2.88 mA (C) 3.44 mA (D) 4.05 mA

31. 如右圖之電路，假設，所有的 MOSFET (Q₁~Q₄)的爾利電壓(Early Voltage)|VA | 50 V，且g m=0.5mA⁄V ，忽略基體效應(Body Effect)，請問輸出電阻R_o的值為多少？ (A) 116 MΩ (B) 126 MΩ(C) 256 MΩ (D) 502 MΩ

32. 如右圖之電路，假設MOSFET Q₁、Q₂、Q₃ 之工 VDD 作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect)， g_m1=         0.5mA⁄V，Q₃ 與 Q₂ 的通道寬度比W ₃⁄W₂=1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi 等於多 少？ (A) 70 (B) 80 (C) 90 (D) 100

33. 如右圖之電路，假設，BJTQ₁、Q₂、Q₃的電流增益β均為 80，V _T=25 mV，且爾利電壓(Early Voltage)|V_A | 100 V ，求R_o的電阻值為多少？(A) 191 MΩ (B) 291 MΩ (C) 391 MΩ (D) 491 MΩ 

34. 對一MOSFET 以一固定的vGS 電壓操作在飽和區，在v_DS= 4 V時，= 2 mA，且v_DS =8 V 時，= 2.1 mA，請問其爾利電壓(Early Voltage)|V_A |為多少？ (A) 70 V (B) 76 V (C) 80 V (D) 86 V

35. 對一增強型的 PMOS 電晶體，其，爾利電壓(Early Voltage) |V_A | 50 V，將閘極(G)端接地，源極(S)端接+ 5V，當汲極D端電壓 vD=+   4 V時， 求其汲極電流值 為多少？ (A) 0.14 mA (B) 0.27 mA (C) 0.40 mA (D) 0.59 mA

37. 使一個npn 型電晶體操作在v_BE= 670 mV， I_C=    2 mA，其i_C對v_CE的特性有一斜率為 ，當電晶體操作在I _C=10 mA時，其輸出阻抗值為多少？ (A) 40 kΩ (B) 30 kΩ (C) 20 kΩ (D) 10 kΩ

38. 對一 BJT 電晶體操作在I _B=5 mA時，在I_C=    10 mA下，其對應的 140 mV，且 I_C=   20 mA時，其對應的 180 mV，求其飽和區的R 電阻值為多少？ (A) 2 Ω (B) 3 Ω (C) 4 Ω (D) 5 Ω

39. 如右圖之電路，已知此CMOS反向器電路的 且，假設v_O1=  0.5 V時，請問vII的電壓值為多少？ (A) 1.55 V (B) 2.06 V (C) 2.86 V  (D) 3.75 V

41. 如右圖的一組並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電 VDD 晶體參數，忽略爾利效應(Early Effect) 及基體效應(Body Effect)，電阻 ，求電流放大倍數 為多少？(A) -6.9 (B) -9.9 IS (C) -12.9 (D) -15.9

42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT，下列敘述何者正確？ (A)降低基體(Substrate)的濃度(N_A) (B)降低源極(Source)區域的濃度(N_D) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(N_D) (D)降低閘極(Gate)區域的 ：矽氧化層的矽氧化層厚度)

43. 對一npn型的BJT所組成的共基極(Common Base)放大器，下列敘述何者有誤？ (A)輸入阻抗(B)高頻響應比共射極(Common Emitter)放大器差 (C)電流增益(D)電壓增益 A_v 對β變化的影響小

45. 下列有關MOS電流鏡和BJT電流鏡的比較何者有誤？ (A) MOS電流鏡無β效應(有限β值效應) (B)通常MOS電流鏡的 比BJT電流鏡的來的大 (C) MOS電流鏡r 的影響比BJT電流鏡小(有限 ro  值效應) (D) Wilson電流鏡的電路可降低BJT電流鏡β值有限效應及增加輸出電阻值

46. 如右圖的電晶體放大電路，，求小信號電壓放 大增益值vo/vi 為多少？(C₁、C₂ 及C_S 可視為短路)  (A) -5.7 (B) -10.7  (C) -20.7 (D) -30.7

47. 如右圖的數位邏輯電路，A、B為邏輯輸入，請問Y輸出為何？ (A) (B) A+   B (C) AB  (D)

48. 開路放大器的增益函數 ，當回授因子β值為多少時，會使閉回路放大器成為臨 界阻尼響應。 (A) 0.525 (B) 0.625 (C) 0.725 (D) 0.825

49. 如右圖之電路，假設所有電晶體完全相同，且爾利電壓(Early Voltage)|V_A | ∞，並忽略電流 I_B，請問要使此電路 R=1kΩ I 1 操作在線性區域內 [ vomin , vomax ]，其輸入電壓值vI 要在哪種範圍？ (A) (B)(C) (D)

50. 如右圖之電路，一個 MOSFET 放大器的小 Cgd 信號高頻等效電路，假設 1 pF，R_S=    100 Ω，請問高頻-3dB 的 值 為多少？ (A) (B) (C) (D)