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初等/五等/佐級◆電子學大意
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93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254
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試題詳解
試卷:
93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
93年 - 93 地方政府特種考試_五等_電子工程:電子學大意#18254
年份:
93年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
33 加強型(Enhancement)NMOS 之門檻(threshold)電壓為 VTN,則加強型 NMOS 負載的場效電晶體(FET) 反向器(Inverter)之正常輸出電壓為下列何者?
(A)VDD
(B)VDD-VTN
(C)0
(D)VTN
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
nba17240
B1 · 2021/09/17
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未解鎖
VO=VDD-VTN
(共 12 字,隱藏中)
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