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101年 - 101 台灣電力公司_養成班及用人當地化甄試:電子學#24449
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試題詳解
試卷:
101年 - 101 台灣電力公司_養成班及用人當地化甄試:電子學#24449 |
科目:
台電◆電子學
試卷資訊
試卷名稱:
101年 - 101 台灣電力公司_養成班及用人當地化甄試:電子學#24449
年份:
101年
科目:
台電◆電子學
37.某一 N通道增強型MOSFET的V
DS
=4 V,元件參數K=0.5 mA/V
2
,臨界電壓V
T
=2 V,若元 件工作於夾止區且I
D
=2 mA,則V
GS
為多少?
(A) -2 V
(B) +2 V
(C) -4V
(D) +4 V
正確答案:
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詳解 (共 1 筆)
我只是略懂
B2 · 2016/11/11
推薦的詳解#1511891
未解鎖
工作在飽和區 所以VGS必定大於VT否則...
(共 63 字,隱藏中)
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