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101年 - 101 台灣電力公司_養成班及用人當地化甄試:電子學#24449
> 試題詳解
37.某一 N通道增強型MOSFET的V
DS
=4 V,元件參數K=0.5 mA/V
2
,臨界電壓V
T
=2 V,若元 件工作於夾止區且I
D
=2 mA,則V
GS
為多少?
(A) -2 V
(B) +2 V
(C) -4V
(D) +4 V
答案:
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統計:
A(10), B(9), C(9), D(174), E(0) #907267
詳解 (共 2 筆)
我只是略懂
B2 · 2016/11/11
#1511891
工作在飽和區 所以VGS必定大於VT否則...
(共 63 字,隱藏中)
前往觀看
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waynegod962081
B1 · 2016/11/05
#1497054
求解~
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相關試題
34•如【圖16】電路所示,其矽質電晶體之射極偏壓VE約為何值? (A) 11.2 V (B) 12.3 V (C) 13 V (D) 13.2 V
#907264
35.變容二極體之電容,常用下列何者來調變? (A)反向電壓 (B)順向電壓 (C)順向電流 (D)溫度
#907265
36. N通道增強型MOSFET的符號為:
#907266
38.對於電晶體的三種基本組態而言,下列哪項敘述不正確? (A)共射極組態功率增益最大 (B)共集極組態常作為阻抗匹配之用 (C)共基極組態中輸出與輸入信號相位差180° (D)共集極組態電壓增益約為1
#907268
39.排除控制電路故障,最簡便之檢查儀表為何? (A)三用電表 (B)電流表 (C)電壓表 (D)高阻計
#907269
40.下列措施,何者不能防止靜電對電子元件之破壞? (A)人員帶接地手環(B)穿平底膠鞋 (C)使用離子吹風機 (D)桌面舖導電性桌墊
#907270
41.如【圖17】電路所示,若hfe=50,hie=l kΩ,hre及hoe略去不計,則電壓增益約為多少? (A)—50 (B) -100 (C) -150 (D) -200
#907271
42.三用電表的+20 dBm點,係在電壓刻度上的: (A) 7.75 V (B) 1 V (C) 0.775 V (D) 0.707 V
#907272
43.如【圖18】所示,運算放大器工作在線性狀態,輸出電壓V。應為: (A) 3.125 V (B) 4.75 V (C) 6.25 V (D) 7.5 V
#907273
44.如【圖19】在製作韋恩電橋振盪器時,若電路無法產生振盪時,應該如何解決? (A)更換OPA (B)將R2電阻值調大 (C)將R2電阻值調小 (D)加大電源電壓
#907274
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