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A.電工原理、B.電子概論
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101年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類:電工原理、電子概論#71754
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試題詳解
試卷:
101年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類:電工原理、電子概論#71754 |
科目:
A.電工原理、B.電子概論
試卷資訊
試卷名稱:
101年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類:電工原理、電子概論#71754
年份:
101年
科目:
A.電工原理、B.電子概論
38.有關 PN 接面的半導體敘述,下列何者錯誤 ?
(A) P 型半導體的濃度高於 N 型半導體的濃度時,其 P 型側的空乏區寬度較寬
(B)PN 接面的空乏區內P 型側內含有負離子
(C)在逆向偏壓下,PN 接面會形成一空乏電容,其大小與偏壓成反比
(D) PN 接合時,所產生的空乏區將抑制擴散電流
正確答案:
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詳解 (共 2 筆)
江
B1 · 2019/10/18
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B3 · 2019/11/11
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原本題目:38.有關 PN 接面的半導體...
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