試卷名稱：105年 - 105 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_電機(甲)、儀電：1.電路學 2.電子學#60392
年份：105年
科目：國營事業◆1.電路學 2.電子學
42. 如何有效降低增強型NMOS電晶體的Threshold Voltage電壓值VT，下列敘述何者正確？ (A)降低基體(Substrate)的濃度(NA) (B)降低源極(Source)區域的濃度(ND) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND) (D)降低閘極(Gate)區域的 ：矽氧化層的矽氧化層厚度)
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：矽氧化層的
矽氧化層厚度) 