阿摩線上測驗
44. 有一 n 通道空乏型金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)運作於夾止飽和區，其導電參數 K = 0.5 mA/V2，若直流工作點之汲極電流為 ID=8 mA，試求 gm 為何？
(A) 2 mS
(B) 4 mS
(C) 6 mS
(D) 8 mS
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統計： A(11), B(23), C(1), D(5), E(0) #3234800
統計： A(11), B(23), C(1), D(5), E(0) #3234800
