48. 有關一般MOSFET汲、源極切換(switch )操作之敘述,下列何者正確?
(A) 較IGBT之耐壓低
(B) 較IGBT之動作時間慢
(C) 較IGBT之導通電阻大
(D) 較IGBT之飽和電壓高
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統計: A(1), B(0), C(0), D(0), E(0) #2124660
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