50. 有關IGBT之敘述，下列何者正確？
(A) 較MOSFET之耐壓低
(B) 較BJT功率電晶體有更高之工作速度
(C) 較MOSFET之電流增益低
(D) 較BJT功率電晶體之閘極輸入阻抗低

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