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電子概論與實習
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104年 - 104中油-電子概論#64088
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56•當JFET之逆偏壓V
GS
= V
P
時:
(A)通道寬度最大
(B)空乏區最小
(C)I
D
= I
DSS
(D)I
D
= 0
答案:
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統計:
A(11), B(5), C(32), D(131), E(0) #1648585
詳解 (共 1 筆)
劉威
B1 · 2019/11/13
#3665414
(共 1 字,隱藏中)
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其他試題
52•如【圖52】所示,直流工作點設置於VGS =-1.75,VDS = 6V,ID = 2.5mA, 則RD與RS分別為: (A) 2.5kΩ,1.5kΩ (B) 3kΩ,1kΩ (C) 2kΩ,2kΩ (D) 1.5kΩ,2.5kΩ
#1648581
53.在RC耦合串級放大電路中,耦合電容C值必須甚大,其原囚為何? (A)級與級間之直流可順利通過 (B)可使偏壓較穩定 (C)散熱好 (D)防止低頻信號衰減
#1648582
54.若一放大器之輸入為10W,輸出為0.1W,則其功率增益為多少? (A)-40dB (B)-20dB (C) 40dB (D) 20dB
#1648583
55.有關場效應電晶體(FET)之敘述,下列何者錯誤? (A)由多數載子負責傳導電流 (B)傳導電流之大小由靜電場控制 (C)輸入阻抗一般較雙極注接面晶體BJT還高 (D)載子為電洞者稱為N通道(charmeDFET
#1648584
57•若FET之參數gm=2mA/V,rd = 20kΩ,則放大囚數//為何? (A)10 (B)40 (C)50 (D)60
#1648586
58.有關理想運算放大器特性之敘述,下列何者錯誤? (A)開迴路增益無限大 (B)輸入阻抗無限大 (C)輸出阻抗無限大 (D)頻帶寬度無限大
#1648587
59.若做為線性放大器時,場效應電晶體應工作於何種區域? (A)區欠姆區 (B)截止區 (C)飽和區 (D)三極區
#1648588
60•如【圖60】所示,運算放大器為理想,且其飽和電壓為±12V,當Vs⑴=10mV,則Vo(t)= ? (A) 100mV (B)-10V (C)-IV (D)-12V
#1648589
61.如【圖61】所示之理想運算放大器電路,流經稽納二極體之電流Iz = lmA,運算放大器之飽和電壓為±15 V,則R值 為何? (A)1 kΩ (B) 2.5 kΩ (C)3kΩ (D)5kΩ
#1648590
62•如【圖62】所示之史密特觸發電路,若R2=2R1,且輸入電壓,則其輸出電壓為何種波形? (A)正弦波 (B)鋸齒波 (C)三角波 (D)方波
#1648591