試題詳解

試卷：110年 - 110 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程：電子學#103918 | 科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

試卷名稱：110年 - 110 自學進修專科學校學力鑑定_冷凍空調、電機工程、電子工程、電訊工程、資訊工程：電子學#103918

年份：110年

科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學

6. MOSFET電路加入正常工作偏壓VDD，若VGS -ID特性如圖(二)所示，VT為臨界電壓 (threshold voltage )，則MOSFET的型式，下列敘述何者正確？

(A) P通道空乏型
(B) N通道空乏型
(C) P通道增強型
(D) N通道增強型

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邵恆

2024/02/19

私人筆記#5769640

未解鎖

專科學力鑑定◆專(一、二...

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