8. 關於半導體偵檢器 PN junction 的描述下列何者錯誤？
(A)可自行產生接觸電位(contact potential)
(B)為了用於輻射偵檢，常加逆向偏壓(reverse bias)
(C)空乏區(depleted region)中的電阻很低、導電率很高
(D)為了增加輻射偵檢的效率，常加大空乏區(depleted region)

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統計： A(17), B(9), C(65), D(20), E(0) #2963737

詳解 (共 2 筆)

#5596933
空乏區是指PN接面中在漂移運動和擴散作用...
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#5615488
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空乏區(depleted region)中的電阻很高、導電率很低
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