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試卷資訊

試卷名稱：111年 - 111-1 行政院原子能委員會_輻射防護員：游離輻射防護專業#109181

年份：111年

科目：輻射防護員◆游離輻射防護專業

8. 關於半導體偵檢器 PN junction 的描述下列何者錯誤？
(A)可自行產生接觸電位(contact potential)
(B)為了用於輻射偵檢，常加逆向偏壓(reverse bias)
(C)空乏區(depleted region)中的電阻很低、導電率很高
(D)為了增加輻射偵檢的效率，常加大空乏區(depleted region)

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詳解 (共 1 筆)

貝克

B1 · 2022/08/23

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未解鎖

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