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試題詳解

試卷：108年 - 108 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#78753 | 科目：台電◆電子學

試卷資訊

試卷名稱：108年 - 108 台灣電力公司_新進僱用人員甄試：電子學#78753

年份：108年

科目：台電◆電子學

9. 若PN接面的空乏區兩側，P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同，濃度較高者，該 側空乏區寬度將如何變化？
(A)較窄
(B)相同於另一側
(C)較寬
(D)無法比較
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私人筆記 (共 2 筆)

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