申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#62477
科目：半導體工程
年份：106年
排序：0

題組內容

五、作答並解釋：

申論題內容

⑴熱氧化法生長二氧化矽膜，使用濕氧化法或乾氧化法之生長速率何者較高？（4 分）