106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#62477

科目：半導體工程 | 年份：106年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：半導體工程

選擇題 (0)

申論題 (7)

一、假如一半導體均勻照光時有一均勻之載子產生速率 G，在穩態下，求半導體電導（σ）之改變量 Δσ。（20 分）

二、對一純矽塊樣本，由一邊摻雜施體（donor），其濃度分布為 N_D = N_oexp（-ax），N_D ＞＞ n_i，在平衡狀態下，推演內建電場 E(x)。若 a = 1 μm^-1，計算內建電場 E(x)。（n_i為矽之本質濃度）。（20 分）

三、一操作在主動區之正負正雙載子電晶體（p ⁺ -n-p bipolar transistor），畫出射極（emitter）、基極（base）、汲極（collector）區之少數載子分布圖。（20 分）

四、有兩個金氧半（MOS）元件除氧化層厚度不同外特性相同，高頻電容-電壓量測產生之電容最大值與最小值之比值為 4 與 2，根據這些數據，計算氧化層厚度比。矽介電常數 ε_s為 11.9εo，氧化層介電常數 ε_ox為 3.9ε_o，真空之介電常數為 ε_o。（20 分）

⑴熱氧化法生長二氧化矽膜，使用濕氧化法或乾氧化法之生長速率何者較高？（4 分）

⑵使用乾氧化法生長二氧化矽膜，初期生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧化矽膜初期生長時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8 分）

⑶使用乾氧化法生長一定厚度二氧化矽膜後，生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧化矽膜具一定厚度時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8 分）