申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：114年 - 114 關務升官等考試_簡任_技術類（選試化學程序工業研究）—關務：化學程序工業研究#133196
科目：化學程序工業(包括質能均衡)
排序：0

五、請回答下列關於電子級化學品製程生產問題：（每小題 7 分，共 28 分）

(二)為什麼矽晶圓在進入光刻製程前必須進行清洗？說明 RCA 清洗原理。

詳解提供者：nomi

矽晶圓在進入光刻製程前必須清洗，是因為表面的任何微小顆粒、金屬離子或有機物都會造成缺陷，影響後續光刻的精度，進而導致元件可靠性和良率下降。

清洗法是標準的濕式化學清洗方法，透過標準的溶液（SC-1 和 SC-2）來去除這些雜質，SC-1 利用氨水和雙氧水，而 SC-2 則利用鹽酸和雙氧水，最終用去離子水徹底沖洗，以達到潔淨無瑕的表面。
(合明科技)