題目六:【15分】
如圖6所示之增強型N通道金屬氧化物場效電晶體(MOSFET)放大電路,假設電容C1=C2=C3=∞,=10MΩ,RD=Rs=4kΩ,MOSFET 偏歴在=1mA,且具有小信號 參數gm=4mA/V及=100kΩ。
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=10MΩ,RD=Rs=4kΩ,MOSFET 偏歴在
=1mA,且具有小信號 參數gm=4mA/V及
=100kΩ。 
=100kΩ時,求