申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：100年 - 100 專技高考_專利師：電子學#45490
科目：電子學
年份：100年
排序：0

題組內容

二、於圖二中，2 個NMOS的電晶體Q₁及Q₂之臨界電壓皆為 0.6V，其中電晶體Q₁及Q₂的電子移動率與氧化層電容乘積皆為μ_nC_ox=200μA/V²，而Q₁及Q₂的閘極寬度與閘極長度的比值各別為(W/L)₁=5 與(W/L)₂=6.25，忽略短通道長度調變效應（λ=0），試求當 I_D1=80 μA時，

申論題內容

⑴電阻值R=？