申論題 - 阿摩線上測驗

申論題資訊

試卷：106年 - 106 鐵路特種考試_高員三級_電子工程：半導體工程#62477
科目：半導體工程
年份：106年
排序：0

題組內容

五、作答並解釋：

申論題內容

⑵使用乾氧化法生長二氧化矽膜，初期生長之膜厚與時間之關係為何？在二氧化矽膜初期生長時，（111）或（100）之矽晶圓上之生長速率何者較高？（8 分）