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申論題資訊

試卷:107年 - 107 專技高考_電子工程技師:電子學#72993
科目:電子學
年份:107年
排序:0

申論題內容

⑵已知一 n 通道增強型金氧半場效電晶體(E-MOSFET),其電路參數 為:VTN = 1.5 V 和 Kn = 0.25 mA/V2 。當 VGS=5 V、VDS=2.5 V,試計算 其汲極電流(ID)值。(10 分)