107年 - 107 專技高考_電子工程技師：電子學#72993

科目：電子學 | 年份：107年 | 選擇題數：0 | 申論題數：7

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (0)

申論題 (7)

⑴增益大小及相位角值。（10 分）

⑵當高頻增益大小限制為 100 時，試計算串接於電容上之所需電阻值。（10 分）

⑴在忽略厄立效應（Early effect）下，其基極（V_B）、射極（V_E）與汲極（V_C）之直流電壓值。（10 分）

⑵在小訊號模型下，其轉導（g_m）、輸入電阻（r_π）與輸出電阻（r_o）值。（10 分）

三、⑴已知一 p 通道場效電晶體（JFET），其自給偏壓（假設 V_GS= 5 V）之電路參數為：I_DSS = 25 mA 且 V_GS（off）= 15 V、V_GS= 5 V，試求其源極電阻（R_S）值。（10 分）

⑵已知一 n 通道增強型金氧半場效電晶體（E-MOSFET），其電路參數為：VTN = 1.5 V 和 Kn = 0.25 mA/V2 。當 VGS=5 V、VDS=2.5 V，試計算其汲極電流（ID）值。（10 分）

四、考慮如圖 2 之金氧半電晶體（NMOS）電路（忽略通道長度調變效應，即λ = 0），其電路參數：V_DD = -V_SS = 2.5 V、Vt= 1 V、μ_n C_ox = 60 μA/V² 、 W/L = 120 μm/ 3 μm。為使電晶體操作在 I_D = 0.3 mA、VD = +0.4 V 時，試計算所需 R_D及 R_S之電阻值。（20 分）